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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氧化鎵

          下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測器應(yīng)用與測試

          • _____氧化鎵(Ga2O3)探測器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測器,主要用于日盲紫外光的探測。其獨(dú)特的物理化學(xué)特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應(yīng)用場景的不同的區(qū)別會有較大的性能差異。而性能指標(biāo)之間往往存在制約,例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應(yīng)度、可靠性和靈敏度等需要權(quán)衡和折中。對于性能表征也是如此,高響應(yīng)度一定無法和高精度電流表征同時進(jìn)行。Tektronix提供了多種性能、架構(gòu)的測試儀器儀表,滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。氧化鎵的
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  Ga2O3  氧化鎵探測器  光電探測器  泰克  Tektronix  

          第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢待發(fā)!

          • 新能源汽車大勢之下,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時,第四代半導(dǎo)體也在蓄勢待發(fā),其中,氧化鎵(Ga2O3)基于其性能與成本優(yōu)勢,有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報道,鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作,雙方研究團(tuán)隊在第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破,提高了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性能。本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體P型氧化鎵的制造,并在其上重新生長N型和 N+型Ga2O3,形成了PN Ga2O3 二極體,結(jié)果展
          • 關(guān)鍵字: 第四代半導(dǎo)體  氧化鎵  

          中國科研團(tuán)隊第四代半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域獲重要突破

          • 近日,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團(tuán)隊在第四代半導(dǎo)體氧化鎵(β-Ga2O3)外延生長技術(shù)和日盲光電探測器制備方面取得重要進(jìn)展,為β-Ga2O3異質(zhì)外延薄膜的大面積生長和高性能的器件應(yīng)用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm),簡單二元組成,帶隙可調(diào),制備工藝簡單等優(yōu)勢在日盲光電探測器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。在β-Ga2O3薄膜生長方面,研究團(tuán)隊利用分子束外延技術(shù)(MBE)實現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長。并通過改變反應(yīng)物前驅(qū)體和精密控制生長參數(shù),成功實現(xiàn)了β-Ga2O3
          • 關(guān)鍵字: 第四代半導(dǎo)體  氧化鎵  科研  

          三菱電機(jī)投資氧化鎵功率半導(dǎo)體

          • 3月26日,在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上,三菱電機(jī)宣布將對有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵(Ga2O3)進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車(xEV)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體相比,三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場”。三菱電機(jī)表示,2024年~2030年,公司將投入約9000億日元(折合人民幣約430億元)用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解,2023年7月,該公司宣布已投資Novel Crystal Technology(N
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  氧化鎵  

          碳化硅風(fēng)頭正勁,小心!氧化鎵蓄勢待發(fā)

          • 近期,媒體報道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉,進(jìn)化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè),創(chuàng)立于2021年5月,專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前,鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求,半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料,發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氧化鎵  

          中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

          • IT之家 12 月 12 日消息,據(jù)中國科大發(fā)布,第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會議,是報告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇,其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  光電探測器  肖特基二極管  

          電子產(chǎn)業(yè)未來的材料——氧化鎵(Ga2O3)

          • 可以說,人類在20世界下半葉開始,絕大部分的科技成果都建立在電子計算機(jī)之上,而半導(dǎo)體材料,就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀(jì)50年代,以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步;時間來到20世紀(jì)90年代,第二代半導(dǎo)體橫空出世,以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無線電通訊、微波雷達(dá)及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用;而近十年來,也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體,直接推動了功率器件、短波長光電器件、光顯示、光存儲、 光探測、透明導(dǎo)電等領(lǐng)域的高速發(fā)
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  半導(dǎo)體  新材料  

          第四代半導(dǎo)體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或?qū)⒄旧螩位

          • 一般來說,半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。迄今為止,半導(dǎo)體材料主要分為:基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導(dǎo)體;基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導(dǎo)體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導(dǎo)體等。過去一年里,我們看到隨著市場對半導(dǎo)體性能的要求不斷提高,及各種利好政策相繼出臺,第三代半導(dǎo)體等新型化合物材料憑借其性能優(yōu)勢嶄露頭角,迎來了產(chǎn)業(yè)爆發(fā)風(fēng)口。在第三代半導(dǎo)體萬眾矚目的時刻,?第四代半導(dǎo)體也正逐漸進(jìn)入我們的視線?。半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路· 第
          • 關(guān)鍵字: 第四代半導(dǎo)體材料  氧化鎵  

          功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

          •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢?,SiC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  氧化鎵  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

          • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  
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          氧化鎵介紹

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