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          日本開發(fā)出使用氧化鎵基板的GaN類LED元件

          •   據日本媒體報道,日本田村制作所與光波公司日前宣布,開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件,開發(fā)的LED元件與以前使用藍寶石基板的LED元件相比,每單位面積可流過10倍以上的電流。將用于前照燈及投影儀等需要高亮度的用途。另外,氧化鎵基板通過簡單的溶液生長即可形成,因此是一種可實現低成本化的技術,還能用于照明等用途。同時預計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板。
          • 關鍵字: 氧化鎵基板  LED元件  
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          氧化鎵基板介紹

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