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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氧化鎵晶體

氧化鎵晶體文章進入氧化鎵晶體技術社區(qū)

日本團隊采用新技術制備氧化鎵晶體

作為一種新興的超寬禁帶半導體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應用中具有優(yōu)勢，且導通電阻更低，損耗更小。目前，中國、日本、韓國等國的研究機構和團隊在氧化鎵材料的技術研發(fā)和產業(yè)化方面都取得了一定的進展。其中，廈門大學的研究團隊在氧化鎵外延生長技術和日盲光電探測器制備方面取得了重要進展，利用分子束外延技術（MBE）實現(xiàn)了高質量、低缺陷密度的外延薄膜生長，推動了氧化鎵薄膜高質量異質外延的發(fā)展；中國電科46所通過改
關鍵字：氧化鎵晶體

共1條 1/1 1

氧化鎵晶體介紹

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