氧化鎵晶體 文章 進(jìn)入氧化鎵晶體技術(shù)社區(qū)

日本團(tuán)隊(duì)采用新技術(shù)制備氧化鎵晶體

• 作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)（8MV/cm）和良好的導(dǎo)通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)，且導(dǎo)通電阻更低，損耗更小。目前，中國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)的研究機(jī)構(gòu)和團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面都取得了一定的進(jìn)展。其中，廈門(mén)大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在氧化鎵外延生長(zhǎng)技術(shù)和日盲光電探測(cè)器制備方面取得了重要進(jìn)展，利用分子束外延技術(shù)（MBE）實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長(zhǎng)，推動(dòng)了氧化鎵薄膜高質(zhì)量異質(zhì)外延的發(fā)展；中國(guó)電科46所通過(guò)改
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