- 根據韓國媒體THE ELEC的報導，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉移到8英寸晶圓廠來生產。報導指出，德州儀器韓國公司經理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的GaN芯片JeromeShin指出，人們普遍認為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發生了轉變。因為德州儀器正在將其生產由6英寸晶圓廠轉換為8英寸晶圓廠
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德州儀器 氮化鎵 模擬芯片
- 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協議，將其大部分資產出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術開發高壓功率開關元件和系統，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發和生產工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
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氮化鎵 第三代半導體
- 引言隨著技術的迅速發展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續地推動這一發展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網供電。同樣，為了實現更快的數據處理、大數據存儲以及人工智能(AI)，服務器的需求也在呈指數級增長。鑒于這些趨勢，設計人員面臨著一項重大挑戰：如何在持續提升設計效率的同時，在相同的尺寸內實現更高的功率。這一挑戰已經推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設計中的廣泛應用，原因在于GaN具有兩大優勢：●? ?提高功率密度。GaN的開關頻率較高，使設計人員能夠使用體積更小的無源器件（
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- 自2018年10月25日，Anker發布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關產品。當前，GaN消費電子產品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領域應用現狀，相關企業開始尋求新的增量市場，GaN技術應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數據中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領域持續釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統越來越多。而與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的
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- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質量標準和穩固的供應鏈為我們提供了
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- 2024 年 3 月 7 日，中國——意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉換器的設計難度，提高轉換能效，目標應用包括工業電源、便攜式設備充電器和 AC/DC適配器。SRK1004的檢測輸入能夠承受高達190V 的電壓，可以連接高低邊功率開關管。共有四款產品供用戶選擇，僅器件選型就可以讓用戶優化應用設計，通過選擇5.5V或 9V的柵極驅動電壓，可以在設計選用理想的邏輯電平 MOSFET
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- 當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰。風暴仍在繼續，快充市場的迅猛發展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側控制器、FluxLink?
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- 據云塔科技官微消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據悉，該項目是由中國科學技術大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯合攻關。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質集成射頻微系統
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- 就在幾個月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關部門發布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關注該領域的讀者突然意識到，不知道從什么時候開始，我國的鎵和鍺已經悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質科學院礦產資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產量則是壓倒性的占到了全球產量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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- 1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協議，根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。據悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型
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- 美國弗吉尼亞理工學院、州立大學和NexGen電力系統公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動態電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩定性進行了實驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結型場效應晶體管（JFET）器件。動態?RON描述了開關晶體管的電阻相對于穩定直流狀態下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個問題可能會導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
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- 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
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- PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
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- 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動開發難題。這兩款產品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。這兩款新器件內置兩個連接成半橋的Ga
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- IT之家 12 月 11 日消息，據中國科學院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導體國際會議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導體材料在光電子、能源、通信等領域具有廣泛的應用前景。隨著下游新應用的快速發展以及襯底制備技術的不斷突破，氮化物半導體功率器件實現了成本和效率的大幅改善，
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