氮化鎵襯底 文章 進(jìn)入氮化鎵襯底技術(shù)社區(qū)

未來5年 氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流

• 　　在當(dāng)今日美壟斷LED芯片核心技術(shù)的格局下，中國(guó)LED企業(yè)如何打破格局，完成技術(shù)攻堅(jiān)，促進(jìn)LED發(fā)展顯得尤為重要。目前，LED襯底類別包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵。 　　與傳統(tǒng)襯底材料相比，氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越特性，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。時(shí)至今日，氮化鎵襯底相對(duì)于藍(lán)寶石、碳化硅等襯底的性能優(yōu)勢(shì)顯而易見，最大難題在于價(jià)格過高。 　　厚膜的襯底產(chǎn)品方面：產(chǎn)品有10～50微米
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