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	氮化鎵
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。據(jù)了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領域。據(jù)悉，英諾賽科此番戰(zhàn)略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
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          • 關鍵字：
                        英諾賽科  氮化鎵                          
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          羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
          
                                                            
            
                    	
          • 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V 氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優(yōu)勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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          • 關鍵字：
                        羅姆  臺積電  氮化鎵  功率器件                          
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          發(fā)力氮化鎵，格芯獲巨額補貼
          
                                                            
            
                    	
          • 12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯(lián)邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。據(jù)介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據(jù)悉，自2020年以來，包括
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  格芯                          
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          氮化鎵的未來：IDM 還是 Fabless
          
                                                            
            
                    	
          • 今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導體領域加強與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產品將全面委托臺積電代工生產。值得注意的是，羅姆之前主要利用內部工廠來生產相關器件，但是近年來已經開始將部分產品委托臺積電代工，只不過羅姆此前并未對外公布。而此次，羅姆將全面委托臺積電代工生產有望運用于廣泛用途的 650V 耐壓產品，借由活用外部資源，應對急增的需求，擴大業(yè)務規(guī)模。有分析認為，羅姆全面委托臺積電代工氮化鎵產品，旨在降低成本。畢竟，氮化鎵材料雖然性能優(yōu)越，但成本一直
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  Fabless                          
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          英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管，實現(xiàn)了現(xiàn)有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  氮化鎵  功率分立器件                          
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          敢想敢做，PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 1932年，研究人員在George Herbert Jones實驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應，成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里，氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC——InnoMux?-2系列產品，不僅刷新了氮化鎵技術的耐壓紀錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應用前景，成為了電源管理領域的遙遙領先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關電源技術覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
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          • 關鍵字：
                        PI  氮化鎵  1700v  電源IC                          
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          Power Integrations推出1700V氮化鎵開關IC，為氮化鎵技術樹立新標桿
          
                                                            
            
                    	
          • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平，此前的業(yè)界首創(chuàng)產品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設計中輕松支持1000VDC額定輸入電壓，并在需要一個、兩個或三
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          • 關鍵字：
                        Power Integrations  氮化鎵開關  氮化鎵                          
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          德州儀器日本會津工廠開始生產GaN芯片，自有產能將提升四倍
          
                                                            
            
                    	
          • 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產，結合其在德克薩斯州達拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的Ga
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          • 關鍵字：
                        德州儀器  氮化鎵  功率半導體                          
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          德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模，產能提升至原來的四倍
          
                                                            
            
                    	
          • 新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產能提升至原來的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現(xiàn)已投產上市?！? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產品?！? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，
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                        德州儀器  氮化鎵  GaN                          
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          氮化鎵或將釋放光伏技術的長期潛力
          
                                                            
            
                    	
          • 2023 年全球可再生能源發(fā)電量首次超過全球總發(fā)電量的 30%創(chuàng)歷史新高，這則消息的背后是技術的不斷創(chuàng)新與突破。一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術的推進，微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術方向演進，且隨時可以按需智能地融入電網(wǎng)。一個重要且可預見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產的重要組成部分，提供更高的功率密度，更小的外部無源元件、從而降低系統(tǒng)成本，增加系統(tǒng)效率，提供智能電網(wǎng)的彈性。作為氮化鎵供應商的先驅
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  光伏  TI                          
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          美印宣布將在印度建立半導體工廠，生產氮化鎵、碳化硅等芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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          • 關鍵字：
                        半導體  氮化鎵  碳化硅                          
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          信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助
          
                                                            
            
                    	
          • 第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。圖片來源：信越化學從氮化鎵生產上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產線來生產GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實現(xiàn)大直徑的高質量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標準厚度的QS
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                        信越化學  氮化鎵  外延生長                          
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          三星加碼氮化鎵功率半導體
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務?！备鶕?jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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                        三星  氮化鎵  功率半導體                          
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          泰克先進半導體實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
          
                                                            
            
                    	
          • _____在泰克先進半導體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術的進步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（70mΩ），在柵極電壓12V的條件下，輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升，使得量芯微的GaN器件在
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                        202409  量芯微  氮化鎵  泰克                          
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          拆解報告：HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 前言HUAWEI華為旗下快充產品相當多，除了隨機附送的充電器外，這些年還陸續(xù)推出過多口充、超薄快充以及全能充等產品，其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動電源等品類，功率也有66W、88W、100W可選?？梢哉f光是這個系列的產品，就相當琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品，這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外，還額外擁有一個獨立的USB-C接口，這便使得充電器具有了同時為兩個華為系設備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進行詳細拆解，一起來
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                        氮化鎵  華為  充電器                          
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          氮化鎵介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條氮化鎵!
           
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