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	溝槽式mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。  相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        TO263-7  1200V  溝槽式MOSFET  電動出行                          
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          溝槽式mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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