泄漏控制文章進(jìn)入泄漏控制技術(shù)社區(qū)

歐洲數(shù)字系統(tǒng)芯片功率泄漏控制項(xiàng)目

來(lái)自歐洲7個(gè)國(guó)家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動(dòng)一個(gè)旨在通過(guò)解決65nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問(wèn)題來(lái)改進(jìn)下一代系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)的開發(fā)項(xiàng)目。根據(jù)IST第六框架計(jì)劃的“納電子”戰(zhàn)略目標(biāo)，歐洲委員會(huì)為這個(gè)名為CLEAN (控制NanoCMOS系統(tǒng)芯片泄漏功率)的項(xiàng)目提供了450萬(wàn)歐元的贊助費(fèi)。在線寬大于0.1微米的微電子電路中，與晶體管泄漏電流相比，計(jì)算、通信和存儲(chǔ)操作造成的動(dòng)態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此，直到今天，在沒超過(guò)這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片設(shè)計(jì)和開發(fā)過(guò)程中，泄漏電流控制并
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