泛林集團 文章 進入泛林集團技術(shù)社區(qū)
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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泛林集團推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率
- 近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強大的保護技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一代芯片。Coron
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泛林集團闡述實現(xiàn)凈零排放的路徑和進展
- 日前，半導體行業(yè)中率先主動設定凈零排放目標的公司之一泛林集團 (NASDAQ: LRCX) 自豪地發(fā)布了其《2021 年環(huán)境、社會和公司治理 (ESG) 報告》。這是泛林集團第八年發(fā)布該報告，其中著重介紹了公司開展的環(huán)?；顒右约叭绾未龠M半導體生態(tài)系統(tǒng)的可持續(xù)性。在報告中，泛林集團體現(xiàn)了 “為創(chuàng)造更美好的世界而努力” 的承諾，并介紹了其社會影響框架，該框架旨在促進社區(qū)的積極變化，激勵和教育未來的創(chuàng)新者，以及建立一個更具包容性的社會。泛林集團總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer 表示：“當我們通過技術(shù)改變世
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泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
- 上?！?近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS? GS，泛林集團進一步拓展了其應力管理產(chǎn)品組合。泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中
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泛林集團自維護設備創(chuàng)生產(chǎn)率新紀錄
- 上海 —— 近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布其自維護設備創(chuàng)下半導體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標桿。通過與領先半導體制造商合作，泛林集團成功實現(xiàn)了刻蝕工藝平臺全年無間斷運行。在當今半導體工藝環(huán)境中，平均清洗間隔時間是限制刻蝕系統(tǒng)生產(chǎn)率提高的主要因素。為了保持穩(wěn)定的性能，通常需要每月、甚至每周清洗刻蝕工藝腔室，并更換被等離子體工藝腐蝕的部件。2019 年 4 月，泛林集團與客戶攜手達成了一項宏偉目標，實現(xiàn)設備在無需維護清洗的情況下連續(xù)運行 365 天，創(chuàng)下里程碑式紀錄。泛林集團自維護設備創(chuàng)生
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