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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 測試芯片

          Achronix為研究人員和測試芯片開發(fā)人員推出全新“eFPGA Accelerator”eFPGA應(yīng)用加速項目

          • 基于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)的硬件加速器器件和高性能嵌入式FPGA半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)(eFPGA IP)領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司日前宣布:公司推出兩個全新的項目,以支持研究機(jī)構(gòu)、聯(lián)盟和公司能夠全面對接Achronix領(lǐng)先Speedcore eFPGA技術(shù)。該組項目將使研究機(jī)構(gòu)和公司能夠使用Achronix高性能Speedcore eFPGA技術(shù)快速構(gòu)建低成本測試芯片。
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          Rambus和GLOBALFOUNDRIES展示非凡性能和功耗表現(xiàn)

          • Rambus公司(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)和GLOBALFOUNDRIES日前宣布兩種獨(dú)立的基于內(nèi)存架構(gòu)的硅晶測試芯片的合作成果。第一種測試芯片提供了針對智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備存儲器應(yīng)用的解決方案。第二種測試芯片展示了面向服務(wù)器等計算主存儲器應(yīng)用的解決方案。
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          美商Altera公司與TSMC采用CoWoS生產(chǎn)技術(shù)

          • 美商Altera公司與TSMC22日宣布,采用TSMC CoWoS生產(chǎn)技術(shù)共同開發(fā)全球首顆能夠整合多元芯片技術(shù)的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測試芯片,此項創(chuàng)新技術(shù)系將模擬、邏輯及內(nèi)存等各種不同芯片技術(shù)堆棧于單一芯片上組合而成,可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超越摩爾定律的發(fā)展規(guī)范,而TSMC的CoWoS整合生產(chǎn)技術(shù)能夠提供開發(fā)3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體公司一套完整的解決方案,包括從前端晶圓制造到后端封裝測試的整合服務(wù)。
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          IMEC發(fā)布14nm工藝開發(fā)套件 測試芯片下半年推出

          •   歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包,IMEC表示。   該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù),包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術(shù)。它包含了器件緊湊模型,寄生參數(shù)提取,設(shè)計規(guī)則,參數(shù)化單元(P-單元),和基本的邏輯單元,IMEC指出。   14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項目的一部分而開發(fā),曾有報道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國高通公司都是
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          中芯與燦芯40LL ARM Cortex-A9測試芯片成功流片

          •   國際領(lǐng)先的IC設(shè)計公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商—燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司與中芯國際集成電路制造有限公司及ARM日前聯(lián)合宣布,采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM® Cortex™-A9 MPCore™雙核測試芯片首次成功流片。   該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計,采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集32K I-Cache和32K D-Cache,128 TLB entries,NEON™ 技術(shù),以及包括調(diào)
          • 關(guān)鍵字: 燦芯  測試芯片  Cortex  

          Open-Silicon、MIPS和Virage Logic共同完成ASIC處理器設(shè)計

          •   Open-Silicon、業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核領(lǐng)導(dǎo)廠商 MIPS 科技公司和Virage Logic 三家公司共同宣布,已成功開發(fā)一款測試芯片,充分展現(xiàn)出構(gòu)建高性能處理器系統(tǒng)的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)。該處理器測試芯片實(shí)現(xiàn)了1.1GHz的頻率速度,成功通過了65nm 芯片測試,使其成為65nm ASIC 中最快的處理器之一。同時,后續(xù)40nm器件的開發(fā)工作也已經(jīng)開始進(jìn)行,目標(biāo)是超過2.5GHz頻率,并提供超過5000 DMIPS的性能。這項開發(fā)計劃采用了Open-Silicon的CoreMAXTM技術(shù),以及超
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          ARM最新45nm 測試芯片實(shí)現(xiàn)40%的功耗降低

          •   ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator,SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明,相較于采用傳統(tǒng)的體硅工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造,該測試芯片顯示出最高可達(dá)40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器,能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實(shí)了在為高性能消費(fèi)設(shè)備和移動應(yīng)用設(shè)計低功耗處理器時,SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。   
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          ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%

          •   據(jù)ARM的研究人員的報道,公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比,功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
          • 關(guān)鍵字: ARM  45nm  SOI  測試芯片  

          英飛凌推出測試芯片消除VIA缺陷

          • 英飛凌推出測試芯片消除VIA缺陷    提高產(chǎn)品的可靠性 英飛凌公司在全球范圍內(nèi)率先推出一種全新方法,該方法可消除高度集成半導(dǎo)體電路制造過程中引起產(chǎn)品缺陷的一個最常見原因:過孔電氣故障?!斑^孔(VIA)”表示“垂直互連”,指集成電路金屬層之間的連接。英飛凌與雷根斯堡應(yīng)用科學(xué)大學(xué)(FH  Regensburg)合作開發(fā)出該全新方法。該合作項目是英飛凌Automotive  ExcellenceTM計劃的一部分,該計劃于三年前啟動
          • 關(guān)鍵字: VIA  測量  測試  測試芯片  缺陷  英飛凌  
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          測試芯片介紹

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