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          海力士半導(dǎo)體明年一季度開始量產(chǎn)30納米芯片

          •   海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示,公司將從明年第一季度開始量產(chǎn)30納米芯片。   這一表態(tài)證實(shí)了韓國網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  30納米  

          海力士期望大陸市場能給其帶來轉(zhuǎn)機(jī)

          •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱,營運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素,有鑒于大陸市場潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示,公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。     
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

          •   海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對象,提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對象。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  閃存  

          海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能

          •   11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示,計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),,以提高和升級芯片產(chǎn)能。   該公司對證交所表示,上述投資將于12月底做出。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  芯片  

          海力士Q3獲利翻5倍

          •   受惠于出貨成長及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢芯片的策略奏效,南韓海力士半導(dǎo)體第三季營業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估,內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。   海力士周四公布,第三季營業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元),超越市場預(yù)期的9610億韓元,并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍,同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

          •   韓國半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲(chǔ)器,晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  20納米  

          三星、海力士4Q營收不樂觀

          •   DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格跌勢持續(xù)第5個(gè)月,韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等存儲(chǔ)器公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機(jī)。     
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          景氣雖不明 海力士仍持續(xù)投資30納米制程

          •   雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響,不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼,以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)勢。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  30納米  

          海力士:股份收購者將出現(xiàn)

          •   據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo),目前韓國有幾間業(yè)者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長金鍾甲表示,韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對海力士股份有興趣,早晚會(huì)對外宣布收購立場。   金鍾甲在接受電子新聞訪談時(shí)表示,由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)競爭構(gòu)圖產(chǎn)生變化,且海力士的競爭力更強(qiáng)化,韓國業(yè)者對海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。   雖然主要是由債權(quán)團(tuán)執(zhí)行海力士股份拋售,金鍾甲以理事會(huì)議長身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來對拋售股份的官方說法維持沒有表明收購意愿的企業(yè),但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
          • 關(guān)鍵字: 海力士  存儲(chǔ)器  

          今年全球芯片廠商資本開支將增長一倍

          •   據(jù)國外媒體報(bào)道,市場研究公司Gartner星期二稱,2010年全球芯片廠商的資本開支將比2009年增長將近一倍,因?yàn)樵谌ツ甑慕?jīng)濟(jì)衰退之后,芯片廠商渴望進(jìn)行更多的投資。   Gartner稱,全球芯片廠商2010年的資本開支將達(dá)到507億美元,比2009年增長96%。由于經(jīng)濟(jì)衰退,全球芯片廠商2009年的資本開支是259億美元,比2008年減少了41%。   Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱,2010年半導(dǎo)體市場的強(qiáng)勁增長推動(dòng)半導(dǎo)體資本開支增長到創(chuàng)紀(jì)錄的高水平。   隨著半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 海力士  芯片  

          DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線

          •   韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過預(yù)測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來,固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅 在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。   D
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

          DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線

          •   韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過預(yù)測值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。   據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來,固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅在1美元在線,其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線。DD
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

          韓國2015年前將非內(nèi)存芯片份額提高一倍

          •   韓國知識經(jīng)濟(jì)部上星期四稱,韓國將在未來五年投資1.7萬億韓元(14.5億美元)幫助韓國芯片廠商找出進(jìn)入快速增長的非內(nèi)存芯片市場的道路。   三星電子和海力士半導(dǎo)體等韓國芯片廠商目前擁有全球內(nèi)存芯片市場50%以上的份額。但是,在非內(nèi)存芯片市場,韓國廠商的市場份額只有大約3%。韓國政府正是在這個(gè)背景之下采取這個(gè)行動(dòng)的。   根據(jù)這個(gè)計(jì)劃,韓國芯片廠商在2015年要取得全球非內(nèi)存芯片市場7.5%的份額。2009年全球非內(nèi)存芯片市場的規(guī)模是1858億美元。這個(gè)市場預(yù)計(jì)將以平均15%的年增長率繼續(xù)增長。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  芯片  

          海力士進(jìn)行內(nèi)部組織重整強(qiáng)化后段制程

          •   海力士半導(dǎo)體(Hynix)近來決定將制造部門分為前段制程和后段制程部門,并進(jìn)行組織及人事重整作業(yè)。海力士社長權(quán)五哲就任后,任命樸星昱擔(dān)任副社長職務(wù),并首度進(jìn)行組織改編,以強(qiáng)化后段制程、強(qiáng)化產(chǎn)線應(yīng)用效益、調(diào)動(dòng)老員工以賦予組織緊張感、任期內(nèi)成效最大化等,頗有為親政而架構(gòu)新格局的意味。   海力士的制造部門將分為制造1部和制造2部,1部負(fù)責(zé)制造廠業(yè)務(wù),2部則處理封裝及測試事宜。1部部長確定由采購室長姜東均(譯名)、2部部長由質(zhì)量管理室長白東源接管,而目前的采購室則由大陸無錫廠企劃管理團(tuán)隊(duì)長官姜聲錫(譯名)
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

          •   據(jù)國外媒體報(bào)道,惠普周二宣布與韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。   據(jù)一份聲明顯示,兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù),實(shí)現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì)采用由惠普實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)能耗更低,速度更快,而且能在斷電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?;萜战衲甏杭痉Q表示,憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。   ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存  ReRAM  
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          海力士介紹

          海力士半導(dǎo)體公司(Hynix,諺文:???? ???,KSE:000660 )是一家韓國的電子公司,全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM,后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù),同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價(jià)格操控與處份 200 [ 查看詳細(xì) ]

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