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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算,圖文結(jié)合+計(jì)算公式步驟
- 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算。與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測量功率計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: IGBT 損耗 溫升
金屬異物對無線功率發(fā)射器溫升的影響
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- 依據(jù)IEC 62368-1:2018,闡述無線功率發(fā)射器的溫升要求。通過比對試驗(yàn)數(shù)據(jù)和結(jié)合相關(guān)經(jīng)驗(yàn),筆者認(rèn)為現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)限值過于嚴(yán)苛,建議放寬要求,或增加異物識別規(guī)定。
- 關(guān)鍵字: 202104 IEC 62368-1 無線功率發(fā)射器 金屬異物 溫升 異物識別
共15條 1/1 1 |
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