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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 溫度系數(shù)

          一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)

          • 摘要:針對(duì)傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高,基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問題,通過增加啟動(dòng)電路,并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路,設(shè)計(jì)了一種高精度、低溫漂、與電源無(wú)關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
          • 關(guān)鍵字: 帶隙基準(zhǔn)電壓源  溫度系數(shù)  共源共柵  CMOS  

          一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

          溫度系數(shù)可正可負(fù)設(shè)定的溫宿補(bǔ)償用電壓電路圖

          溫度系數(shù)和電壓可變的參考電壓源電路圖

          深入淺出常用元器件系列——電阻

          • 電阻是大家學(xué)習(xí)電路過程中首先接觸到的器件,可能很多人覺得電阻沒什么神秘的。其實(shí),電阻除了阻值之外,還有許多參數(shù)在實(shí)際使用過程中需要大家注意,下面我給大家一一道來。
          • 關(guān)鍵字: 電阻  溫度系數(shù)  額定功率  封裝  耐壓  

          深入淺出常用元器件系列——電容

          • 電容的類別、參數(shù)、技術(shù)細(xì)節(jié)非常多,不同材質(zhì)的電容在技術(shù)參數(shù)上差別很大,所以,在一篇文章里面講明白是非常困難的。下面我就斗膽拋磚引玉,給大家談?wù)勲娙菹嚓P(guān)的一些知識(shí)。
          • 關(guān)鍵字: 電容  電解電容  溫度系數(shù)  ESR  電容器  

          低成本多路輸出CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

          • 摘要:在傳統(tǒng)Brokaw帶隙基準(zhǔn)源的基礎(chǔ)上,提出一種采用自偏置結(jié)構(gòu)和共源共柵電流鏡的低成本多路基準(zhǔn)電壓輸出的CMOS帶隙基準(zhǔn)源結(jié)構(gòu),省去了一個(gè)放大器,并減小了所需的電阻阻值,大大降低了成本,減小了功耗和噪聲。該
          • 關(guān)鍵字: 帶隙基準(zhǔn)源  多路基準(zhǔn)電壓輸出  溫度系數(shù)  Cadence  

          線性NTC溫度傳感器應(yīng)用知識(shí)詳解

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 線性NTC  溫度傳感器  溫度系數(shù)  

          抵消+2%/°C溫度系數(shù)的溫度補(bǔ)償電路

          • 電路的功能傳感器溫度系數(shù)比較小時(shí),可用多種方式進(jìn)行溫度補(bǔ)償,但是如果溫度系數(shù)過大,有瞬間漂移,則必須大幅度地補(bǔ)償傳感器的放大系數(shù)。本電路的目標(biāo)是抵消+2%/°C的溫度系數(shù)??稍趥鞲懈浇惭b半導(dǎo)體溫度傳感器進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: 溫度系數(shù)  溫度補(bǔ)償電路    

          理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

          • 通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  RDS  ON  溫度系數(shù)    

          基于溫度補(bǔ)償?shù)?V CMOS電流基準(zhǔn)源

          共13條 1/1 1

          溫度系數(shù)介紹

          溫度系數(shù)(temperature coefficient):表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個(gè)電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來表示,由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí),元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升,稱為正溫度系數(shù);反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管,穩(wěn)定電壓在6伏以上時(shí),溫度系數(shù)為正; 6伏以下時(shí),溫度系數(shù)為負(fù)。 [ 查看詳細(xì) ]

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