溫度系數(shù) 文章 進(jìn)入溫度系數(shù)技術(shù)社區(qū)
一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計
- 摘要：針對傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高，基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問題，通過增加啟動電路，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路，設(shè)計了一種高精度、低溫漂、與電源無關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
- 關(guān)鍵字： 帶隙基準(zhǔn)電壓源 溫度系數(shù) 共源共柵 CMOS
一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計
- 摘要：設(shè)計了一種結(jié)構(gòu)簡單的基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源。以BrokaW帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)來進(jìn)行設(shè)計。采用Cadence的Spectre仿真工具對電路進(jìn)行了
- 關(guān)鍵字： 帶隙基準(zhǔn) LDO穩(wěn)壓器 溫度系數(shù) 電源抑制比 運(yùn)算放大器
低成本多路輸出CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計
- 摘要：在傳統(tǒng)Brokaw帶隙基準(zhǔn)源的基礎(chǔ)上，提出一種采用自偏置結(jié)構(gòu)和共源共柵電流鏡的低成本多路基準(zhǔn)電壓輸出的CMOS帶隙基準(zhǔn)源結(jié)構(gòu)，省去了一個放大器，并減小了所需的電阻阻值，大大降低了成本，減小了功耗和噪聲。該
- 關(guān)鍵字： 帶隙基準(zhǔn)源 多路基準(zhǔn)電壓輸出 溫度系數(shù) Cadence
抵消+2％/°C溫度系數(shù)的溫度補(bǔ)償電路
- 電路的功能傳感器溫度系數(shù)比較小時，可用多種方式進(jìn)行溫度補(bǔ)償，但是如果溫度系數(shù)過大，有瞬間漂移，則必須大幅度地補(bǔ)償傳感器的放大系數(shù)。本電路的目標(biāo)是抵消+2%/°C的溫度系數(shù)。可在傳感附近安裝半導(dǎo)體溫度傳感器進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 溫度系數(shù) 溫度補(bǔ)償電路
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達(dá)到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
基于溫度補(bǔ)償?shù)?V CMOS電流基準(zhǔn)源
- 流過電阻R1的電流為 選取合適的電阻比值使電壓基準(zhǔn)不受溫度影響，調(diào)節(jié)m和R4來調(diào)節(jié)基準(zhǔn)電壓的大小，得到合適 ...
- 關(guān)鍵字： 基準(zhǔn)電壓 電流源 電流反饋 溫度補(bǔ)償 溫度系數(shù) 電壓基準(zhǔn) 運(yùn)放 差分對 CMOS工藝 載流子
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溫度系數(shù)介紹
溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱為正溫度系數(shù)；反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6伏以上時，溫度系數(shù)為正； 6伏以下時，溫度系數(shù)為負(fù)。
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溫度系數(shù)電路
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