漏極 文章 進(jìn)入漏極技術(shù)社區(qū)
漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌
- 開關(guān)導(dǎo)通時(shí),線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能(電流能量)。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí),就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來說明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結(jié)構(gòu),在High Side(以下簡(jiǎn)稱HS)和Low Side(以下簡(jiǎn)稱LS)之間連接了一個(gè)開關(guān)器件,該圖是LS導(dǎo)通,電路中存在開關(guān)電流IMAIN的情形。通常,該IMAIN從VSW流入,通過線路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設(shè)
- 關(guān)鍵字: ROHM 漏極 源極
基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 漏極 導(dǎo)通 開關(guān)過程
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漏極介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn), [ 查看詳細(xì) ]
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