漏電流 文章 進(jìn)入漏電流技術(shù)社區(qū)
大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用
- 本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實(shí)現(xiàn)二級(jí)保護(hù)的方案；論述了其實(shí)現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
- 關(guān)鍵字： 電池充放電管理 雪崩 短路 漏電流 MOSFET 202112
KID65783AP顯示IC的失效分析與研究
- 王少輝，項(xiàng)永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽?合肥?230088） 摘?要：柜機(jī)空調(diào)顯示板在廠內(nèi)生產(chǎn)過程與售后出現(xiàn)大量失效，故障現(xiàn)象表現(xiàn)為顯示多劃、混亂、LED燈異常點(diǎn)亮等。經(jīng)過分析為KID65783AP顯示IC失效導(dǎo)致，失效模式為1腳對(duì)V CC 屬性異常或其他引腳對(duì)V CC 屬性異常。失效芯片經(jīng)分析為部分管腳ESD損傷，以及部分管腳漏電流偏大。本文結(jié)合顯示驅(qū)動(dòng)IC的失效機(jī)理，失效電路，對(duì)顯示驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化更改，提高顯示驅(qū)動(dòng)IC的ESD(MM)水平。產(chǎn)品同時(shí)導(dǎo)入漏電流的測試，從顯示IC產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 202005 顯示驅(qū)動(dòng)IC ESD損傷 漏電流 晶圓設(shè)計(jì) 可靠性
超級(jí)電容器參數(shù)測試與特性研究
- 為研究超級(jí)電容器的電氣原理，構(gòu)建一種符合其工作特性的精確電路模型。需對(duì)超級(jí)電容的部分動(dòng)態(tài)行為參數(shù)進(jìn)行測試與辨識(shí)，一種在蓄電池和超級(jí)電容組成的混合儲(chǔ)能實(shí)驗(yàn)裝置下，基于直流內(nèi)阻法、恒壓漏電法以及動(dòng)態(tài)充電法對(duì)超級(jí)電容器的內(nèi)阻、漏電流和容量等參數(shù)進(jìn)行測量的方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，各參數(shù)與理論值匹配度較高，可為超級(jí)電容器的動(dòng)態(tài)特性和狀態(tài)評(píng)估提供數(shù)據(jù)支撐。
- 關(guān)鍵字： 超級(jí)電容器 內(nèi)阻法 漏電流 容量 201812
光伏組件PID漏電流檢測
- 摘要 6月1日，國家能源局等部門印發(fā)《關(guān)于2018年光伏發(fā)電有關(guān)事項(xiàng)的通知》(因落款日期為5月31日，業(yè)內(nèi)稱為“5·31新政”)，提出暫不安排2018年普通光伏電站建設(shè)規(guī)模，僅安排10GW左右的分布式光伏建設(shè)規(guī)模，進(jìn)一步降低光伏發(fā)電的補(bǔ)貼強(qiáng)度。這突如其來的新政猶如一盆涼水，讓一度沉浸在瘋狂狀態(tài)的光伏行業(yè)逐漸清醒?！ 毫Υ呱鷦?dòng)力，新政的發(fā)布意味著光伏企業(yè)需要轉(zhuǎn)變發(fā)展方向，通過更多的技術(shù)升級(jí)降低光伏發(fā)電成本，同時(shí)這也是一個(gè)契機(jī)，企業(yè)也要更加沉下心來去解決之前光伏系統(tǒng)里遇到的問題，本文讓我們
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漏電流的客觀分析
- 漏電流的客觀分析-電氣設(shè)備在其電磁環(huán)境中必須能正常運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁騷擾。這種能力被稱作電磁兼容性。我們將電磁干擾分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。 傳導(dǎo)干擾包括對(duì)稱和不對(duì)稱干擾（ 也稱作差模干擾和共模干擾）。對(duì)稱干擾在相線和中線之間流動(dòng)，而不對(duì)稱干擾在相線、中線對(duì)地線之間流動(dòng)。造成這些干擾的原因包括網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、變頻器、處理器、電子產(chǎn)品或電氣設(shè)備中的切換操作、電動(dòng)機(jī)控制等。
- 關(guān)鍵字： EMC 漏電流
有漏電流時(shí)儲(chǔ)能器充電最佳過程及電路圖
- 我們看看圖3-8給出實(shí)際的儲(chǔ)能器充電電路。R代表與儲(chǔ)能電容器并聯(lián)的取樣電阻、峰值電壓表內(nèi)阻、預(yù)然燈內(nèi)阻、電容器本身的漏電等。我們要研究的問題是用什么形式的電流向該電路充電，才能獲得最小的電阻損耗。用變分法...
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漏電流的客觀分析：最佳衰減效果和最小漏電流之間如何權(quán)衡？
- EMC的一般特性和濾波器的功能原理 電氣設(shè)備在其電磁環(huán)境中必須能正常運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁騷擾。這種能力被稱作電磁兼容性。我們將電磁干擾分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。傳導(dǎo)干擾包括對(duì)稱和不對(duì)稱干擾(也稱作差模干擾和共模干擾)。對(duì)稱干擾在相線和中線之間流動(dòng)，而不對(duì)稱干擾在相線、中線對(duì)地線之間流動(dòng)。造成這些干擾的原因包括網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、變頻器、處理器、電子產(chǎn)品或電氣設(shè)備中的切換操作、電動(dòng)機(jī)控制等。 采用X電容可降低對(duì)稱干擾。就降低不對(duì)稱干擾而言，電流補(bǔ)償扼流圈用于低干擾頻率，Y電容
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專用高頻E類功率放大器的研究
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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一款可抑制漏電流的兩級(jí)單相非隔離型逆變器設(shè)計(jì)
- 本文針對(duì)傳統(tǒng)單相非隔離型全橋光伏并網(wǎng)逆變器的不足，研究并設(shè)計(jì)了一種新型、高效率且具備漏電流抑制能力的兩...
- 關(guān)鍵字： 可抑制 漏電流 逆變器設(shè)計(jì)
漏電流概念
- 漏電流概念,一、半導(dǎo)體元件漏電流PN結(jié)在截止時(shí)流過的很微小的電流。在D-S沒在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會(huì)有電流流過。但實(shí)際上由于自由電子的存在，自由電子的附
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電源線路濾波器中的漏電流
- 標(biāo)準(zhǔn)中的要求 保護(hù)接地器在電氣設(shè)備出現(xiàn)故障或發(fā)生短路時(shí)，保護(hù)用戶不會(huì)受到危險(xiǎn)接觸電壓的傷害。為確保此基本功能，保護(hù)接地線上的電流必須加以限制，這是為什么大多數(shù)產(chǎn)品安全標(biāo)準(zhǔn)中包含漏電流測量和限制條款的原因。辦公室設(shè)備和信息技術(shù)設(shè)備的產(chǎn)品安全標(biāo)準(zhǔn)EN 60950-1進(jìn)行了相關(guān)說明。 盡管都使用漏電流這個(gè)術(shù)語進(jìn)行描述，但是標(biāo)準(zhǔn)在實(shí)際上對(duì)接觸電流和保護(hù)導(dǎo)體電流進(jìn)行了區(qū)分。接觸電流是人在接觸電氣裝置或設(shè)備時(shí)，流過人體的所有電流。另一方面，保護(hù)導(dǎo)體電流是在設(shè)備或裝置正常運(yùn)行時(shí)，流過保護(hù)接地導(dǎo)體的電流。此電流也稱為
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漏電流介紹
半導(dǎo)體元件漏電流 PN結(jié)在截止時(shí)流過的很微小的電流。
電源漏電流
開關(guān)電源中為了減少干擾，按照國標(biāo)，必須設(shè)有EMI濾波器電路。由于EMI電路的關(guān)系，使得在開關(guān)電源在接上市電后對(duì)地有一個(gè)微小的電流，這就是漏電流。如果不接地，計(jì)算機(jī)的外殼會(huì)對(duì)地帶有110伏電壓，用手摸會(huì)有麻的感覺，同時(shí)對(duì)計(jì)算機(jī)工作也會(huì)造成影響。
電容漏電流
電容介質(zhì)不可能絕對(duì)不導(dǎo)電，當(dāng)電容加上直流電壓時(shí)，電 [ 查看詳細(xì) ]
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