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熱損耗
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Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究*
- 針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對(duì)象，對(duì)功率模塊在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
- 關(guān)鍵字： 202301 Boost變換器 SiC模塊 IGBT模塊 熱損耗
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