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愛普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過客戶驗證

全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計公司愛普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢，可在先進封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機及高性能計算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。愛普科技的S-SiCap?使用先進的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
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