理想二極管 文章 進(jìn)入理想二極管技術(shù)社區(qū)
Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合，新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級理想二極管
- Nexperia宣布為其持續(xù)擴(kuò)展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)和消費應(yīng)用，而NID5100-Q100已獲得認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎(chǔ)，擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降，非常適合用來替換系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)二極管，進(jìn)而滿足相關(guān)的超高能效要求。NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT363-2有引腳塑料封裝，尺寸僅為2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二極管的電氣性能出色，能為
- 關(guān)鍵字： Nexperia 理想二極管
理想二極管控制器或 ORing 控制器柵極電壓低于預(yù)期值
- 背景：理想二極管控制器和 ORing 控制器以三種不同的運行模式控制外部 N 溝道 MOSFET，如圖 1 所示。圖 1：理想二極管控制器 LM74700-Q1 的柵極驅(qū)動模式正常運行期間，控制器以穩(wěn)壓導(dǎo)通模式或完全導(dǎo)通模式運行。在穩(wěn)壓導(dǎo)通模式下，線性穩(wěn)壓方案在 MOSFET 源漏極兩端保持非常低的正向電壓。LM74700-Q1 將 MOSFET 的正向壓降調(diào)節(jié)至 20mV（典型值）。LM5050-x 和 LM5051 穩(wěn)壓正向壓降為 22mV（典型值），TPS2410/12
- 關(guān)鍵字： TI 理想二極管 ORing
集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應(yīng)用中，各個壓降會產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管，并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢。
- 關(guān)鍵字： 理想二極管 源選擇器 eFuse
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理想二極管介紹
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