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          電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過程及新趨勢

          •   摘要:簡要敘述了電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過程,介紹了晶閘管智能模塊的結(jié)構(gòu)和特性,描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,指出了我國大力發(fā)展IPEM的必要性。   關(guān)鍵詞:電力半導(dǎo)體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊   一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀,促進電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個晶閘管問世以來,經(jīng)過40多年的開發(fā)和研究,已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO),絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件,目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
          • 關(guān)鍵字: 電力半導(dǎo)體模塊  智能晶閘管模塊  IGBT模塊  半導(dǎo)體材料  
          共1條 1/1 1

          電力半導(dǎo)體模塊介紹

            電力半導(dǎo)體模塊是分立半導(dǎo)體器件的經(jīng)一步發(fā)展,它是現(xiàn)代電力電子設(shè)備的主要器件。電力電子半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著重要的地位,它正向高頻化、大功率化、智能化和模塊化方向發(fā)展,其中模塊化應(yīng)用更為深入。電力半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品廣泛用于建筑、通信、電力、電子、化工、機械等領(lǐng)域?! ) 使用環(huán)境應(yīng)無劇烈振動和沖擊,環(huán)境介質(zhì)中應(yīng)無腐蝕金屬,破壞絕緣的雜質(zhì)和氣氛;  b) 模塊的工作溫度:晶閘管-40℃ [ 查看詳細(xì) ]

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