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電容器
電容器 文章 進(jìn)入電容器技術(shù)社區(qū)
ADI關(guān)態(tài)電容1.5pF小于1pC模擬開(kāi)關(guān)
- ADI公司推出兩種工作在+/-12V或+/-15V的單刀雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān)ADG1233和ADG1234,提供業(yè)界最低的電容和電荷注入.這兩種器件的關(guān)態(tài)電容為1.5pF,電荷注入小于1pC,使它們非常適合需要低的尖峰和快速設(shè)定時(shí)間的高端數(shù)據(jù)采集以及取樣保持應(yīng)用,器件的快速開(kāi)/關(guān)速度(120/40ns)以及-3dB帶寬900MHz使它們也適合用在視頻開(kāi)關(guān)(可能需要外接視頻緩沖器).開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻為120歐姆,通道間電阻匹配為3.5
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開(kāi)關(guān)電容器現(xiàn)場(chǎng)可編程模擬陣列的頻域SPICE仿真
- 根據(jù)C.F.KURTH和G.S.MOSCHYTZ采用z域四口等效電路對(duì)開(kāi)關(guān)電容器網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行雙口分析的理論，以現(xiàn)場(chǎng)可編程模擬陣列實(shí)現(xiàn)的PID控制器為例
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3M電子嵌入式電容符合RoHS指令厚8μs
- 3M電子日前宣布，其先進(jìn)層壓、嵌入式電容材料達(dá)到RoHS指令要求，可幫助OEM和PCB制造商滿足車載、便攜式和軍用產(chǎn)品等空間受限的應(yīng)用設(shè)計(jì)需求。 3M介紹，其嵌入式電容材料的介質(zhì)厚度達(dá)到8μs、電容密度達(dá)到每平方英寸大于10nF，使之成為現(xiàn)有電路板嵌入式平面電容中最薄、電容密度最高的材料。該層壓材料使高速數(shù)字印刷電路板的設(shè)計(jì)人員和制造商在實(shí)現(xiàn)高速設(shè)計(jì)的同時(shí)，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。 &
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東芝開(kāi)發(fā)新型128MB電容器DRAM
- 近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個(gè)SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無(wú)輸出電容器DRAM芯片，正在對(duì)這款芯片進(jìn)行測(cè)試運(yùn)作。 東芝公司報(bào)告稱，去年二月份在最尖端半導(dǎo)體電路技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ISSCC）上東芝公司報(bào)告了無(wú)輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計(jì)和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國(guó)際會(huì)議上，東芝公司展示了這款芯片的運(yùn)作。聲稱是全球最大儲(chǔ)存密度無(wú)輸出電容器DRAM芯片。 無(wú)輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效
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東芝開(kāi)發(fā)新型電容器DRAM芯片
- 近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個(gè)SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無(wú)輸出電容器DRAM芯片，正在對(duì)這款 芯片進(jìn)行測(cè)試運(yùn)作。 東芝公司報(bào)告稱，去年二月份在最尖端半導(dǎo)體電路技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ISSCC）上東芝公司報(bào)告了無(wú)輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計(jì)和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國(guó)際會(huì)議上，東芝公司展示了這款芯片的運(yùn)作。聲稱是全球最大儲(chǔ)存密度無(wú)輸出電容器DRAM芯片。 無(wú)輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應(yīng)取代了電容
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凌特推出照相閃光燈電容充電器
- 凌特推出LT3485系列照相閃光燈電容充電器集成電路，該器件集成了完整的照相閃光燈電容充電器和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。LT3485 已獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的“標(biāo)準(zhǔn)化”變壓器。無(wú)需外部組件設(shè)置輸出電壓。在充電時(shí)，一個(gè)與電容器電壓成正比的輸出可用來(lái)進(jìn)行監(jiān)視。輸入電流被嚴(yán)格控制以提供一致的充電時(shí)間。 該系列器件用 1.8V 至 10V 的輸入電壓工作，非常適用于由兩節(jié) AA 堿性、單節(jié)鋰離子電池或
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Syfer新型表面安裝貼片電容
- Syfer Technology近日推出系列表面安裝貼片電容，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的錫/鉛端子，主要面向不受歐盟RoHS規(guī)范限制的應(yīng)用，包括軍事/航空、空間以及汽車等產(chǎn)品。 某些特殊應(yīng)用目前還未受到歐盟RoHS規(guī)范的限制，雖然采用錫制產(chǎn)品的可行性還在調(diào)研當(dāng)中，但Syfer相信一些特定的應(yīng)用仍將繼續(xù)使用錫/鉛材料。 該公司提供的錫/鉛端子中含有不超過(guò)10/%的鉛，包括多種多層陶瓷貼片電容(MLCC)。容值范圍從0.45pF至82μF，工作電壓在16
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利用開(kāi)關(guān)電容濾波器實(shí)現(xiàn)抗混疊濾波
- 帶外雜散信號(hào)所引起的混疊現(xiàn)象是A/D 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中所面臨的關(guān)鍵問(wèn)題，如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)臑V波處理，這些信號(hào)會(huì)嚴(yán)重影響數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能指標(biāo)。本文主要討論抗混疊濾波的原理及其對(duì)系統(tǒng)性能的影響。本文針對(duì)這一應(yīng)用，提供了一個(gè)開(kāi)關(guān)電容濾波器設(shè)計(jì)范例，該方案具有極高的性價(jià)比。本文幾乎涵蓋了所有與高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)有關(guān)的重要參數(shù)和實(shí)際問(wèn)題。 產(chǎn)生混疊的來(lái)源：這一點(diǎn)在奈奎斯特定理中給出了說(shuō)明。奈奎斯特定理指出：時(shí)間連續(xù)信號(hào)轉(zhuǎn)換成離散信號(hào)時(shí)，需要在一個(gè)周期內(nèi)的采樣次數(shù)多于2 次。如果采樣次數(shù)不夠，將無(wú)法恢復(fù)丟失的信息。從
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5V轉(zhuǎn)換成 -10V的簡(jiǎn)單電路
- 典型開(kāi)關(guān)式電容器充電泵不需要電感器，因此容易設(shè)計(jì)，且能將正電壓加倍及將正電壓轉(zhuǎn)換成一個(gè)等效負(fù)電壓。但在某些應(yīng)用中，只有正電源可用，且電源系統(tǒng)必須產(chǎn)生一個(gè)幅度比正電源電壓幅度更大的負(fù)電壓。圖1所示電路可將其輸入電壓反相的同時(shí)將所得負(fù)電壓加倍。 通常，MAX889T電壓反相器IC1可將一個(gè)正輸入電壓轉(zhuǎn)換成一個(gè)絕對(duì)幅度低于其輸入值的負(fù)輸出電壓。但此電路中，肖特基二極管D1、D2及電容器C4與C5可幫助產(chǎn)生一個(gè)更高的輸出電壓。該電路的額定輸出為VOUT=-(2
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高效照相閃光燈電容充電器
- 2005 年 9 月 19 日 － 北京 － 凌特公司（Linear Technology）推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容（典型值為 320V）充電器。這些集成電路設(shè)計(jì)成獨(dú)立器件，無(wú)需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負(fù)載和大量軟件開(kāi)發(fā)。 這個(gè)系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機(jī)和移動(dòng)電話應(yīng)用而設(shè)計(jì)。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器，而且其片上 NPN 電源開(kāi)關(guān)無(wú)需外部肖特基二極管箝位，縮小了解決方案尺寸。由于變壓
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Linear高效照相閃光燈電容充電器
- Linear高效照相閃光燈電容充電器凌特公司（Linear Technology）推出 LT3484 系列高效率、超快、照相閃光燈電容（典型值為 320V）充電器。這些集成電路設(shè)計(jì)成獨(dú)立器件，無(wú)需通常與其他照相閃光燈充電器解決方案有關(guān)的微處理器負(fù)載和大量軟件開(kāi)發(fā)。 這個(gè)系列的照相閃光燈電容充電器 IC 是為空間十分寶貴的數(shù)碼相機(jī)和移動(dòng)電話應(yīng)用而設(shè)計(jì)。LT3484 獲得專利的控制技術(shù)允許它使用極小的變壓器，而且其片上 NPN&n
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電容器介紹
電容器（capacitor）簡(jiǎn)稱電容，也是組成電子電路的主要元件。它可以儲(chǔ)存電能，具有充電、放電及通交流、隔直流的特性。從某種意義上說(shuō)，電容器有點(diǎn)像電池。盡管兩者的工作方式截然不同，但它們都能存儲(chǔ)電能。電池有兩個(gè)電極,在電池內(nèi)部，化學(xué)反應(yīng)使一個(gè)電極產(chǎn)生電子，另一個(gè)電極吸收電子。而電容器則要簡(jiǎn)單得多，它不能產(chǎn)生電子——它只是存儲(chǔ)電子。它是各類電子設(shè)備大量使用的不可缺少的基本元件之一。各種電容器在電路 [ 查看詳細(xì) ]
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