- 絕大多數(shù)的MCU愛(ài)好者對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可以不要的。參考很多書(shū)籍，講解的很少，往往提到最多的是起穩(wěn)定作用，負(fù)載電容之類(lèi)的話，都不是很深入理論的分析。問(wèn)題是很
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振蕩 電路 分析 作用 電容 晶體 旁邊 MCU
- 本設(shè)計(jì)是用電容傳感器按鈕(PCB圓形或方形墊片)替代機(jī)電開(kāi)關(guān)。PIC12CXXX MCU 非常適合于這種應(yīng)用，用少量元件就可設(shè)計(jì)一種價(jià)廉的全電子開(kāi)關(guān)。此方法采用一個(gè)簡(jiǎn)單的RC延遲電路(圖1)，當(dāng)按傳感器時(shí)其時(shí)間常數(shù)發(fā)生變化。
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開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì) 電子 傳感器 電容 基于
- 摘要：紹了3 kW LC串聯(lián)諧振高壓脈沖電容充電電源的設(shè)計(jì)，利用該電源對(duì)脈沖電容負(fù)載充電。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，實(shí)際電路為L(zhǎng)CC串并聯(lián)諧振，導(dǎo)致該電源充電電流減小，充電速度變慢，功率降低。針對(duì)這些問(wèn)題，提出了電流、功率
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電源 控制 充電 電容 高壓 脈沖 諧振
- 摘要：提出一種新型的應(yīng)用于脈沖功率技術(shù)的串聯(lián)諧振高壓充電電源，它采用了高頻交流鏈接技術(shù)(HF AC-link)，具有內(nèi)部低儲(chǔ)能、高功率密度和高功率因數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。電源工作在電流斷續(xù)模式及零電流零電壓開(kāi)關(guān)條件下，分析了
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充電 電源 研究 電容 技術(shù) 高頻 交流 鏈接 基于
- 稱(chēng)重傳感器是一種將質(zhì)量信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榭蓽y(cè)量的電信號(hào)輸出的裝置。電容式稱(chēng)重傳感器利用電容器振蕩電路的振蕩頻率f與極板間距d 的正比例關(guān)系工作。極板有兩塊，一塊固定不動(dòng)，另一塊可移動(dòng)。在承重臺(tái)加載被測(cè)物時(shí)，兩極板
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三個(gè)缺點(diǎn) 傳感器 稱(chēng)重 電容
- 從電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)到采購(gòu)，無(wú)源元件是個(gè)配角，在整個(gè)電子產(chǎn)品中所占的物料成本約占有一成，但電子產(chǎn)品中無(wú)源元件數(shù)量眾多。以電容為例，從2G發(fā)展到3G，光一部手機(jī)中的MLCC數(shù)量就從平均165個(gè)增加到了288個(gè);電視機(jī)中的電
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電容 選型
- 標(biāo)簽：逆變器 級(jí)聯(lián)逆變器 從型逆變器1 引言1981年，日本的Nabae等人提出了多電平變換器的思想，近年來(lái)成為了高壓大功率變頻領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。多電平逆變器輸出電壓階梯多，從而可以使輸出的電壓波形具有較小的諧波
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選取 方法 改進(jìn) 電容 儲(chǔ)能 補(bǔ)償 直流 同步
- MFB高通濾波器電路參數(shù)與設(shè)計(jì) 該電路如圖5.4-51所示。它的傳輸函數(shù)為： 由上式與“高通濾波器”式比較，可求出濾波器特性參數(shù)為： 設(shè)計(jì)步驟和電容C值的選取同低通濾波器。當(dāng)取C1=C2=C時(shí)，由上式求出：
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高通濾波器 電容 計(jì)步
- 隨著公路運(yùn)輸業(yè)和商業(yè)貿(mào)易的不斷發(fā)展，車(chē)輛載荷檢測(cè)技術(shù)已成為測(cè)量領(lǐng)域研究的重點(diǎn)。目前比較常用的車(chē)輛動(dòng)態(tài)載荷檢測(cè)傳感器主要有彎板、壓電軸、單傳感器、車(chē)載電容傳感器及光纖傳感器。這些載荷檢測(cè)傳感器多適用于固
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工作 原理 檢測(cè)系統(tǒng) 載荷 傳感器 車(chē)輛 電容
- 電源中常常被忽略的一種應(yīng)力是輸入電容RMS電流。若不正確理解它，過(guò)電流會(huì)使電容過(guò)熱和過(guò)早失效。在降壓轉(zhuǎn)換器中，使用下列近似式，根據(jù)輸出電流 (Io) 和占空比 (D) 可以很輕松地計(jì)算出RMS電流：
圖1給出了
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簡(jiǎn)介 電流 額定 RMS 電容
- 摘 要： 介紹了新型軟開(kāi)關(guān)脈沖電容充電技術(shù)， 其基本電路采用串聯(lián)諧振拓?fù)洌?具備零電流開(kāi)關(guān)、恒流充電、內(nèi)在短路保護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。導(dǎo)出了該基本電路重要參數(shù)的計(jì)算公式。仿真了一個(gè)16kJ/s 充電電源的波形。在重復(fù)頻率較高
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充電 技術(shù) 分析 電容 脈沖 開(kāi)關(guān) 高壓 新型
- 音響電路中通常包括濾波、耦合、旁路、分頻等電容，如何在電路中更有效地選擇使用各種不同類(lèi)型的電容器對(duì)音響音質(zhì)的改善具有較大的影響。耦合電容耦合電容的容量一般在 0.1mu;F - 10mu;F 之間，以使用云母、聚丙烯
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音響電路 如何選擇 電容
- 標(biāo)簽：NPO X7R Z5U Y5V單片陶瓷電容器(通稱(chēng)貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來(lái)講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5
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特點(diǎn) 種類(lèi) 電容 貼片 手機(jī)
- 為了分析方便，在實(shí)際的分析應(yīng)該中經(jīng)常使用由串聯(lián)等效電阻ESR、串聯(lián)等效電感ESL、電容組成的
RLC模型。因?yàn)閷?duì)電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL，我們通常采用下圖中簡(jiǎn)化的實(shí)際模型進(jìn)行分析：上式就是電容的容抗
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電容 模型分析
- 單片機(jī)又稱(chēng)單片微控制器，它不是完成某一個(gè)邏輯功能的芯片，而是把一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)集成到一個(gè)芯片上。概括的講，一塊芯片就成了一臺(tái)計(jì)算機(jī)?！ 纹瑱C(jī)具有體積小、質(zhì)量輕、價(jià)格便宜的特點(diǎn)。同時(shí)，學(xué)習(xí)使用單片機(jī)是了
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方法 步驟 頻率 電容 單片 制作
電容介紹
電容是表征電容器容納電荷的本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢(shì)差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。
電容的符號(hào)是C。在國(guó)際單位制里，電容的單位是法拉，簡(jiǎn)稱(chēng)法，符號(hào)是F。一個(gè)電容器，如果帶1庫(kù)的電量時(shí)兩級(jí)間的電勢(shì)差是1伏，這個(gè)電容器的電容就是1法。
電容的公式是：C=Q/U 但電容的大小不是由Q或U決定的，即：C=εS/4πkd 。ε是一個(gè)常數(shù)，與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)。k [
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