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          一種低功耗的電平位移電路

          • 提出了一種基于0.35μm BCD工藝的電平位移電路。該電路使用了耐壓5V的CMOS器件。通過對常規(guī)電平位移電路進行分析,提出了優(yōu)化改善的電平位移電路。電路仿真結(jié)果顯示,與常規(guī)的電平位移電路相比,改進的電路具有功耗低、輸出電平穩(wěn)定可靠等特點。
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          電平位移介紹

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