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電橋芯片
電橋芯片 文章 進(jìn)入電橋芯片技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值
- 意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器、系統(tǒng)保護(hù)功能，以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計(jì)者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡(jiǎn)化了電路布局。這兩款新器件內(nèi)置兩個(gè)連接成半橋的Ga
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 電橋芯片 st 電源設(shè)計(jì)
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電橋芯片介紹
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