電流倒灌、熱插拔、過流保護、過壓保護、上電時序 文章 進入電流倒灌、熱插拔、過流保護、過壓保護、上電時序技術(shù)社區(qū)
如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
- 在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護是確保設(shè)備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進的熱插拔技術(shù)和電池保護功能
- 為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on
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電路設(shè)計要考慮的異常情況
- 電路設(shè)計要考慮的異常情況：電流倒灌、熱插拔、過流保護、過壓保護、上電時序一、異常情況的思考異常情況的思考1、 電流倒灌集成電路的典型模型如下：1、 D1在大多數(shù)CMOS集成電路中起著防靜電功能.同時輔助起著輸入端限幅作用。但是在ABT,LVT,LVC和AHC/AHCT類集成電路中無此二極管。2、D2是半導(dǎo)體集成所產(chǎn)生的寄生二極管(存在于所有數(shù)字集成電路),其輔助功能為對線路反射的下沖信號進行限幅，提供一些放電保護功能。3、D3用于保護CMOS電路在放電時的干擾。在大多數(shù)雙極性器件中也存在此二極管，但為寄生
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過流過壓過溫保護設(shè)計
- 一、過流保護我們知道電路板損壞的重要現(xiàn)場之一就是過流導(dǎo)致器件燒毀，有的甚至起火冒煙引發(fā)事故。因此必須要進行功率保護設(shè)計，如常用的保險絲或者熱敏電阻就屬于其中簡單的一種，但是這種保護屬于粗略保護，如果需要針對性的進行電流檢測保護還是需要設(shè)計電路結(jié)構(gòu)。利用采樣電阻是我們常用的設(shè)計方式，通過采樣電阻進行電流檢測然后輸出控制信號。現(xiàn)在也有很多集成的IC專門來進行高低邊電流檢測的，如LT6100等。過流保護主要在于電流檢測上，下面是利用電流鏡的方式采樣，IC內(nèi)部設(shè)計采用此方式進行偏置電流設(shè)置，因為晶體管的電流是和溝
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過流保護的電路方案——限制的電流1A是怎么來的？
- 工程師在開發(fā)一些電子項目，不知道是否遇到過類似這樣的問題——設(shè)計的PCBA電路板，內(nèi)部有5V電源電路，除了給各個功能電路供電之外，比如MCU單片機供電、PM2.5傳感器供電、喇叭供電，還需要給外部電路供電。5V電源給內(nèi)部電路供電還好處理，但給外部電路供電，就不那么簡單了，因為工程師需要考慮各種不同的情況出現(xiàn)，如外部電路如果短路怎么辦？外部電路，如果電壓超過了5V怎么辦？還有就是如果外部電路，發(fā)生了異常，內(nèi)部的電路該怎么判斷呢？本文轉(zhuǎn)載自“電路一點通”賬號，原作者介紹了安森美(onsemi)一款專門用來進行
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Bourns擴展Multifuse? PPTC可復(fù)位保險絲產(chǎn)品線 推出四款60V產(chǎn)品
- 全新可復(fù)位保險絲具備廣泛保持電流選項，可于 2920 封裝尺寸中提供更多設(shè)計選擇2023年12月26日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，擴展其 Multifuse? 聚合物 PTC 可復(fù)位保險絲產(chǎn)品線，全新推出四款 MF-LSMF 系列。Bourns? MF-LSMF 具備 60 VDC 高額定電壓 Vmax 滿足在更大工作電壓應(yīng)用中日益增長的過電流保護需求。全新 Bourns 高額定功率 PPTC 同時具備 0.3 A 至 1.1
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電機的過流保護元件如何選擇？
- 一，電機保護電路在什么情況下選擇采用電流保險絲?在電路的保護應(yīng)用中，當(dāng)發(fā)生單一故障失效，或是并聯(lián)器件發(fā)生的短路情況下，讓保險絲的及時動作斷開，保護人身安全，保護高價重要的元器件是一種十分必要的選擇。二，電機保護線路對保險絲的技術(shù)參數(shù)要求① FUSE的額定電壓要求大于線路電壓保險絲根據(jù)線路的電流I的大小會工作在三種工作狀態(tài)下：即正常工作區(qū)域，工作盲區(qū)和熔斷保護區(qū)域，當(dāng)I值小于1倍保險絲額定電流值In，則保險絲是要求不能斷的，我們稱之為正常工作區(qū);而1x In<I<2x ln時，則視為盲區(qū)，保險絲
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NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關(guān)邏輯
- NPC2三電平拓撲因為其效率高，諧波含量低，在光伏逆變器設(shè)計中應(yīng)用非常廣泛。由下圖可以看到，NPC2由四個開關(guān)管構(gòu)成，包含豎管T1/T4，橫管T2/T3。在市電異常或者逆變器系統(tǒng)故障時，逆變器是否需要特殊的開關(guān)邏輯，對NPC2拓撲中的橫管進行過壓保護呢？我們以橫管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5，豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。當(dāng)市電異常時，逆變器啟動保護機制，如下圖，從波形上看，T1與T2同時開始關(guān)斷，但因為H5芯片開關(guān)
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MIKROE推出新開源軟硬件解決方案使數(shù)百個Click板能夠熱插拔到Linux開發(fā)環(huán)境中
- 2023年11月16日: MikroElektronika(MIKROE) ，作為一家通過提供基于成熟標(biāo)準(zhǔn)的創(chuàng)新式硬軟件產(chǎn)品來大幅縮短開發(fā)時間的嵌入式解決方案公司，今天宣布推出一款基于單線設(shè)備的軟硬件開源解決方案ClickID，允許Click?板或任何其他mikroBUS?熱插拔到運行嵌入式Linux或類似操作系統(tǒng)的開發(fā)環(huán)境中。 ClickID為嵌入式工具提升了自動化和自診斷水平。當(dāng)在嵌入式系統(tǒng)上集成了Click板后，它允許軟件識別附加板外圍設(shè)備配置，使復(fù)雜的操作變得簡單
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了解熱插拔：熱插拔電路設(shè)計過程示例
- 高可用性系統(tǒng)（如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機、獨立磁盤冗余陣列 （RAID） 存儲和其他形式的通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)）需要設(shè)計為在其整個使用壽命期間幾乎為零停機時間。如果此類系統(tǒng)的某個組件出現(xiàn)故障或需要更新，則必須在不中斷系統(tǒng)其余部分的情況下更換該組件。在系統(tǒng)保持正常運行的同時，必須卸下電路板或模塊并插入其替換件。此過程稱為熱插拔，或在某些情況下稱為熱插拔（模塊與系統(tǒng)軟件交互）。高可用性系統(tǒng)（如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機、獨立磁盤冗余陣列 （RAID） 存儲和其他形式的通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)）需要設(shè)計為在其整個使用壽命期間幾乎為零停機時間。如
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Vishay推出新型具備可調(diào)電流極限和過壓保護(OVP)的,在2.8V至23V工作的電子保險絲
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款小型3 mm x 3 mm TDFN封裝，具有可調(diào)電流極限和過壓保護（OVP）功能的新型電子保險絲---SiP32433A/B和SiP32434A/B。3.5 A SiP32433A/B和6 A SiP32434A/B在2.8 V至23 V輸入電壓范圍內(nèi)工作——最高達28 VIN?DC ——集成多種控制和保護功能，簡化設(shè)計，減少所需外部組件。日前發(fā)布的Vishay Siliconix單通道負載開關(guān)輸入電壓范圍寬，可用于廣
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電流倒灌、熱插拔、過流保護、過壓保護、上電時序介紹
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