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	電熱模型
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進(jìn)行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  電熱模型  MOSFET                          
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          電熱模型介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條電熱模型!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對電熱模型的理解，并與今后在此搜索電熱模型的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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