電路設(shè)計(jì) 文章 進(jìn)入電路設(shè)計(jì)技術(shù)社區(qū)
PCB設(shè)計(jì)之重點(diǎn)：PCB推薦疊層及阻抗設(shè)計(jì)
- 為了減少在高速信號傳輸過程中的反射現(xiàn)象，必須在信號源、接收端以及傳輸線上保持阻抗的匹配。單端信號線的具體阻抗取決于它的線寬尺寸以及與參考平面之間的相對位置。特定阻抗要求的差分對間的線寬/線距則取決于選擇的PCB疊層結(jié)構(gòu)。由于最小線寬和最小線距是取決于PCB類型以及成本要求，受此限制，選擇的PCB疊層結(jié)構(gòu)必須能實(shí)現(xiàn)板上的所有阻抗需求，包括內(nèi)層和外層、單端和差分線等。一、PCB疊層設(shè)計(jì)層的定義設(shè)計(jì)原則：1）主芯片相臨層為地平面，提供器件面布線參考平面；2）所有信號層盡可能與地平面相鄰；3）盡量避免兩信號層直接
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模電的半壁江山——運(yùn)算放大器的原理和應(yīng)用
- 模電的半壁江山——運(yùn)算放大器的原理和應(yīng)用大家學(xué)習(xí)電子都會接觸運(yùn)算放大器，常常聽到虛短虛斷一說。虛短虛斷是解開負(fù)反饋運(yùn)放電路的核心方法，具體就要從運(yùn)放的原理開始說起了。LM741原理圖拿LM741為例子。可以將內(nèi)部電路圖分為A,B,C,D四個部分。A是差分輸入級。差分輸入有同相輸入和反相輸入兩個輸入端。主要作用是在放大差模信號型號的同時抑制共模信號，比如抑制溫度造成的零漂等，保證靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定，然后將放大后的信號送入C，中間放大級，將信號實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的放大。最后通過D，甲乙類推挽輸出輸出信號，保證輸出信號的
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基于Kintex-7 FPGA的核心板電路設(shè)計(jì)
- 1. 引言Field Programmable GateArray（簡稱，F(xiàn)PGA）于1985年由XILINX創(chuàng)始人之一Ross Freeman發(fā)明，第一顆FPGA芯片XC2064為XILINX所發(fā)明，F(xiàn)PGA一經(jīng)發(fā)明，后續(xù)的發(fā)展速度之快，超出大多數(shù)人的想象，近些年的FPGA，始終引領(lǐng)先進(jìn)的工藝。在通信等領(lǐng)域FPGA有著廣泛的應(yīng)用，通信領(lǐng)域需要高速的通信協(xié)議處理方式，另一方面通信協(xié)議隨時都在修改，不適合做成專門的芯片，所以能夠靈活改變的功能的FPGA就成了首選。并行和可編程是FPGA最大的優(yōu)勢。2.核心板
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解析三極管的電阻位置
- 三極管用作開關(guān)時的常見電阻配置，如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個位置，而不是那個位置。在其位，謀其職。電阻R11）產(chǎn)生基級電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于，其輸出電流IC和IB具有關(guān)系IC=β*IB2）限流【串聯(lián)電阻的主要作用就是限流】電阻R31）跟R1組合形成基級分壓回路，用于產(chǎn)生開啟電壓（比5V小，有些管子耐受電壓較?。?）提供一個電壓泄放回路（如果VDD的5V有浪涌的話）電阻R41）產(chǎn)生發(fā)射級電流IC2）限流進(jìn)一步，為什么R4要放在三極管上面，也就是C級，而不是E級？看一張圖，
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濾波器截止頻率為什么是-3dB？
- 截止頻率是描述濾波器性能的一個指標(biāo)。對于一個濾波器，在其輸入信號幅度保持不變的情況下，只改變輸入信號的頻率，當(dāng)其輸出信號幅度下降為輸入信號幅度的0.707倍，即-3dB時，此時的頻率即為該濾波器的截止頻率。一、理論分析對于上圖所示的一個濾波器，根據(jù)串聯(lián)分壓原理，其輸出信號可以看出，隨著輸入信號頻率的升高，其輸出信號幅度越來越小，所以高頻信號難以通過該電路，因此，該濾波器為低通濾波器。當(dāng)輸出信號幅度下降為輸入信號的0.707倍，即-3dB時，可以得出其截止頻率此時，假定一個輸入信號，其頻率為截止頻率則電容容
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運(yùn)算放大器的應(yīng)用講解
- 今天開始討論運(yùn)算放大器引入負(fù)反饋后的電路應(yīng)用，先從最簡單的跟隨器說起，也就是直接將運(yùn)放輸出端連接到運(yùn)放負(fù)輸入端，如下圖：根據(jù)運(yùn)放的特性，有負(fù)反饋的情況下，其正輸入端和負(fù)輸入端壓差為0，也就是Vin- = Vin+ ，而 Vout = Vin-，所以，Vout = Vin+。運(yùn)放的輸出端 Vout 在其電源 VCC 范圍內(nèi)，等于 Vin+ ，也就是電壓跟隨器，也稱緩沖器。跟隨器的應(yīng)用電壓跟隨器的應(yīng)用舉例：信號采集電路，下圖中滑動變阻器產(chǎn)生的電壓信號模擬某傳感器的電壓輸出信號。如果想要知道某一部分電路的作用，
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放大電路的頻響分析
- 在分析放大電路的頻響特性時，實(shí)際上解決的是放大電路的低頻截止頻率ωL(或fL)和高頻截止頻率ωh(或fh)與電路結(jié)構(gòu)、元件參數(shù)之間的關(guān)系問題。對所設(shè)計(jì)的放大電路，總希望中頻增益范圍越寬越好。然而，由于有耦合電容和旁路電容的影響，在頻率的低端區(qū)增益會下降，而在頻率的高端區(qū)，則由于分布電容及晶體管極間電容的影響增益也會下降，這樣放大電路頻帶寬度將會受到一定的制約。通常根據(jù)通帶的低端頻率和高端頻率來區(qū)分哪些電容對低頻響應(yīng)起作用，哪些電容對高頻響應(yīng)起作用，從而分別構(gòu)造出相應(yīng)的低頻和高頻的電路模型，以便對電路的頻率
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開關(guān)電源BUCK電路傳導(dǎo)和輻射噪聲源和耦合路徑分析
- BUCK電路為典型的開關(guān)電源電路，為降壓電路，其主要電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下，隨著開關(guān)管不停的通斷，右邊的輸出電壓低于左邊的輸入電壓，從而實(shí)現(xiàn)降壓功能。圖 開關(guān)電源BUCK電路結(jié)構(gòu)圖我們首先來分析這個電路的主要干擾源，上一篇文章我們分析了開關(guān)電源的主要干擾源主要由3部分組成，含有高頻流也就是大的di/dt回路和電壓快速變化也就是大的dV/dt動點(diǎn)區(qū)域，以及地線上高頻電流流過的區(qū)域形成的地噪聲。1、BUCK電路主要干擾源頭分析BUCK變換器中有兩個電流快速變化的大的di/dt回路；當(dāng)MOS管導(dǎo)通時候，二極管D截止，
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手機(jī)充電器電路圖和充電電流分解
- 手機(jī)充電器電路①手機(jī)充電器電路①手機(jī)充電器②圖片歡迎關(guān)注、點(diǎn)贊、評論。
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MOS(場效應(yīng)管)最常用的方法
- MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通；2、若使用NMOS當(dāng)上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因?yàn)镾極對地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時為低電平，導(dǎo)通時接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是
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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個問題？
- 今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動芯片驅(qū)動，我們就以這個驅(qū)動設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會比開通時高，所以關(guān)斷的損失也會比開通時大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開通時，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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走廊多處開關(guān)，延時電路原理分析
- 很多朋友肯定碰到過，想要好幾個地方控制燈的情景，下面旺哥給大家介紹一個這種電路，非常巧妙。如下圖：這個電路它是一個帶有延時功能并且可以自動關(guān)燈功能的開關(guān)電路，我們只需按一下按鈕，需要的照明燈便會立馬亮起，并且在幾分鐘后可自動熄滅。還有一大優(yōu)點(diǎn)就是它還可以同時控制多處照明燈，非常的適合用在大堂、樓道以及廁所等公共場所的照明。上面這個圖展示的就是一種多處可以延時的開關(guān)電路，這個電路主要由橋式整流器、指示燈，延時網(wǎng)絡(luò)控制單元、多處按鈕以及晶閘管等多部分構(gòu)成。下面具體分析電路：整流如上圖，整流二極管VD1-VD4
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全波整流電路詳細(xì)分析
- 我們?yōu)榱颂岣哌@個電路的整流效率并且減少Uo的交流分量，常常采用改進(jìn)的全波整流電路的辦法。這個電路是由兩個半波整流電路組合而成的，和半波整流電路相比的話，全波整流電路具有更高的電源利用率，相當(dāng)于負(fù)半周期沒有浪費(fèi)。它能夠輸出更高而且更穩(wěn)定的直流電壓。但是，這種電路的缺點(diǎn)在于需要使用帶有抽頭的電源變壓器，這會使變壓器的結(jié)構(gòu)變得相對復(fù)雜一些。如上圖，變壓器T的次級線圈的匝數(shù)是為半波整流時次級線圈匝數(shù)的2倍，這個線圈被分為中心抽頭L2和L3兩部分。在上面這個電路中，我們繼續(xù)使用的是兩個整流二極管，標(biāo)號分別是二極管V
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把三極管當(dāng)作穩(wěn)壓二極管來用，做一個閃燈電路，趣味電子DIY
- 大家好，我是阿樂，今天跟大家分享一個很簡單但是很有意思的小電路，先來看電路圖：在上面的電路圖中，用到了5個元器件：一個10K的電位器，一個4.7K的電阻，一個330uF的電解電容，一個NPN型的三極管，一個LED。下圖是做好的電路實(shí)物，直接利用元器件的引腳搭棚焊接的：這個電路上電后的效果就是LED燈會一閃一閃的，是一個閃燈電路，我們可以先來看下動圖：在電路圖中，比較特殊的地方就是這個NPN三極管的接法：首先是它的基極不接，然后給發(fā)射極接高電位，集電極接低電位。第一眼看到這樣的電路是不是覺得它不會工作，哪有
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MOS管的導(dǎo)通條件和MOS驅(qū)動電流計(jì)算
- **1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明：**在以上圖中，我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有：a. **ID（持續(xù)漏極電流）**：該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值，在設(shè)計(jì)中，產(chǎn)品的實(shí)際通過電流值應(yīng)遠(yuǎn)小于該值，至少應(yīng)小于1/3以下，例：該mos管的使用持續(xù)電流應(yīng)小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數(shù)是指設(shè)計(jì)中，實(shí)際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應(yīng)大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實(shí)際
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電路設(shè)計(jì)介紹
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