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相變存儲(chǔ)器的高可靠性多值存儲(chǔ)設(shè)計(jì)
- 摘要：基于相變存儲(chǔ)器(PCM) 已有的2T2R 結(jié)構(gòu)，提出一種以比值為導(dǎo)向的狀態(tài)定義方法，以實(shí)現(xiàn)2T2R 結(jié)構(gòu)下PCM 的多值存儲(chǔ)。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下，可以實(shí)現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲(chǔ)，同時(shí)對(duì)小尺寸驗(yàn)證，而對(duì)PCM 存
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ) 可靠性 存儲(chǔ)器 相變
實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器--相變存儲(chǔ)器
- 實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器--相變存儲(chǔ)器,從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：容量
ndash; 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢(shì)，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)增長(zhǎng)速率甚 - 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 新型 相變 模型 使用 全新 實(shí)現(xiàn)
一種相變存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 引言 相變存儲(chǔ)器（PC2RAM）是一種新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢(shì)顯示了極大的競(jìng)爭(zhēng)力，得到了較快
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 存儲(chǔ)器 相變
相變存儲(chǔ)器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)
- 相變存儲(chǔ)器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù), 相變存儲(chǔ)器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 技術(shù) 計(jì)算機(jī) 易失性 相變
相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
- 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器,從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求： 容量
C 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢(shì)，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)增長(zhǎng)速率甚至更 - 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 模型 新型 使用 全新 實(shí)現(xiàn) 相變
日立與瑞薩開(kāi)發(fā)1.5V相變存儲(chǔ)模塊
- 日立有限公司與瑞薩科技（Renesas）宣布，為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求，雙方共同開(kāi)發(fā)出了運(yùn)行于1.5V電源電壓的512KB（相當(dāng)于4Mb）相變存儲(chǔ)模塊，該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時(shí)間。利用以前開(kāi)發(fā)的100μA（Micro[注1]安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲(chǔ)單元”，兩家公司在新模塊中開(kāi)發(fā)了一種可以實(shí)現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。 日立和瑞薩以前開(kāi)發(fā)過(guò)一種低功耗操作相變存儲(chǔ)器，它在界面層使用了
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 日立 瑞薩 相變 存儲(chǔ)模塊 消費(fèi)電子
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