相變存儲技術(shù) 文章 進(jìn)入相變存儲技術(shù)技術(shù)社區(qū)
IBM首席技術(shù)官：相變存儲技術(shù)3-5年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化
- IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團(tuán)的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片，并會在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機(jī)型上投入使用。Menon稱IBM將繼續(xù)開發(fā)自有PCM技術(shù)專利，不過專利開發(fā)完成后，IBM會尋找有能力為IBM制造PCM存儲芯片的代工廠商并進(jìn)行技術(shù)授權(quán)，最后再將代工廠生產(chǎn)的PCM 芯片用于IBM自己的服務(wù)器系統(tǒng)產(chǎn)品上。
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相變存儲技術(shù)介紹
相變存儲器(OUM)
奧弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來存儲數(shù)據(jù)。后來，人們將這一學(xué)說稱為奧弗辛斯基電子效應(yīng)。相 [ 查看詳細(xì) ]
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