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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅動器
- 美國加利福尼亞州圣何塞,2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強的保護功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能,保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
- 關鍵字: Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門極驅動器
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
- 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率;因此,如果不增加尺寸并因此影響功率密度,它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方,適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅動等高功
- 關鍵字: GaN HEMT 短路保護
【E電路】一個經(jīng)典輸出短路保護電路
- 上電:C2 兩端電壓不能突變,Q2基極電壓由VCC開始下降,下降到Q2可以導通(BE結壓降取0.7V),這個時間大概是0.12mS。但是同時Q1也在起到阻止 Q2導通的作用,Q1導通的時間大概是:5.87mS也就是說 Q2在5.87mS后才會導通,但是同時C3在阻止Q3的導通,阻止時間是0.17mS。 Q3在上電0。17MS后導通,負載得電,Q3 C極電壓達到13.3左右,迫使Q2截至,由此可見Q1可以去掉。 短路時,Q3 C極被拉低,Q2導通,形成自鎖,迫使Q3截止,Q3截至后面負載沒有
- 關鍵字: 短路保護
【E電路】一個經(jīng)典輸出短路保護電路
- 上電:C2 兩端電壓不能突變,Q2基極電壓由VCC開始下降,下降到Q2可以導通(BE結壓降取0.7V),這個時間大概是0.12mS。但是同時Q1也在起到阻止 Q2導通的作用,Q1導通的時間大概是:5.87mS也就是說 Q2在5.87mS后才會導通,但是同時C3在阻止Q3的導通,阻止時間是0.17mS。 Q3在上電0。17MS后導通,負載得電,Q3 C極電壓達到13.3左右,迫使Q2截至,由此可見Q1可以去掉。 短路時,Q3 C極被拉低,Q2導通,形成自鎖,迫使Q3截止,Q3截至后面負載沒有
- 關鍵字: 短路保護
二代大功率IGBT短路保護和有源鉗位電路設計
- 摘要:通過分析IGBT的器件特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件,設計了大功率IGBT的短路保護和有源鉗位電路。
關鍵詞:IGBT模塊;二代SCALE-2模塊;2SC0435T;短路保護 - 關鍵字: IGBT模塊 二代SCALE-2模塊 2SC0435T 短路保護 有源鉗位
晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流和短路保護
- 盡管功率場效應VDMOS和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮,且在電力電子技術領域占據(jù)重要位...
- 關鍵字: 晶閘管 直流穩(wěn)壓器 過流 短路保護
短路保護介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條短路保護!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對短路保護的理解,并與今后在此搜索短路保護的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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