矽穿孔 文章 進(jìn)入矽穿孔技術(shù)社區(qū)
矽穿孔技術(shù)襄助 3D IC提高成本效益
- 應(yīng)用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導(dǎo)體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢。然而，若要讓3DIC成為主流，還必須執(zhí)行許多基礎(chǔ)的工作。電子設(shè)計自動化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命，包括類比與數(shù)位設(shè)計實現(xiàn)、封裝與印刷電路板(PCB)設(shè)計工具。半導(dǎo)體廠可以運用這個解決方案，滿足高效率設(shè)計應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。 隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加，許多IC團(tuán)隊都在期待應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
- 關(guān)鍵字： 矽穿孔 3D
國研院開發(fā)新芯片 大幅提升訊號傳輸速度
- 國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計今年便可運用在顯示器上，未來將陸續(xù)與國內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國研院截至目前為止的最高技轉(zhuǎn)金額。 新世代要求多功能、可攜式智慧行動裝置，需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來處理，因此近年來積體電路(IC)制作漸由平面2DIC衍伸出立體結(jié)構(gòu)的3DIC，藉由IC堆疊來縮短訊號傳輸距離。目前半導(dǎo)體廠制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技術(shù)」，將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導(dǎo)線連
- 關(guān)鍵字： 矽穿孔 芯片
c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計
- 行動運算產(chǎn)品市場持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計，目前相關(guān)設(shè)計多使用整合晶片減少元件用量，對于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設(shè)計… 矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級、改善的關(guān)鍵驅(qū)動力，以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高，
- 關(guān)鍵字： 3D 制程 矽穿孔
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矽穿孔介紹
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