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硅升華
硅升華 文章 進(jìn)入硅升華技術(shù)社區(qū)
速度提升百倍 美科學(xué)家在4英寸基體上制成石墨薄膜
- 美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)光電材料中心(Electro-Optics Center Materials Division：EOC)的研究人員最近成功地在4英寸(100mm)大小的基體上制成了石墨薄膜，這種石墨薄膜是由碳原子組成的平面薄膜，薄膜的厚度極薄，只有1-2個(gè)碳原子的厚度，相比傳統(tǒng)外延生長(zhǎng)出來(lái)的硅膜，石墨薄膜內(nèi)部的碳原子組織結(jié)構(gòu)能夠極大地提高電路的電性能，電路的運(yùn)行速度可達(dá)硅電路 的100倍。 由于在硅基體上直接生成石墨薄膜時(shí)，很難保證薄膜內(nèi)部碳原子結(jié)構(gòu)的一致性，因此過(guò)去科學(xué)家制造石墨電路的方
- 關(guān)鍵字： 硅電路 石墨薄膜 硅升華
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硅升華介紹
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