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瑞薩電子推出用于電動(dòng)汽車逆變器的新一代硅基IGBT
- 2022 年 8 月 30 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件——該產(chǎn)品以更小的尺寸帶來(lái)更低的功率損耗。針對(duì)下一代電動(dòng)汽車（EVs）逆變器應(yīng)用，AE5代IGBT產(chǎn)品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產(chǎn)。此外，瑞薩將從2024年上半年開始在其位于日本甲府的新功率半導(dǎo)體器件300mm晶圓廠加大生產(chǎn)，以滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。?與當(dāng)前一代
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 電動(dòng)汽車 逆變器 硅基IGBT
巨頭搶灘第三代半導(dǎo)體
- 長(zhǎng)期以來(lái)，英飛凌、意法半導(dǎo)體等功率半導(dǎo)體Top級(jí)廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場(chǎng)需求推動(dòng)之下，第三代半導(dǎo)體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導(dǎo)體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭競(jìng)相在公布2022年財(cái)報(bào)前后宣布了新建工廠計(jì)劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）都表示將在全球不同國(guó)家建設(shè)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來(lái)看，碳化硅的應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 硅基IGBT 硅基MOSFET
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