硅片互聯(lián)技術(shù) 文章 進入硅片互聯(lián)技術(shù)技術(shù)社區(qū)

2.5D IC封裝超越摩爾定律，改變游戲規(guī)則

• 　　近日，有兩家公司同時發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破：一個是意法半導體宣布將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)，在意法半導體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法(無需打線綁定)，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的集成度和性能。另一個則是賽靈思宣布通過堆疊硅片互聯(lián) (SSI) 技術(shù)，將四個不同 FPGA 芯片在無源硅中介層上并排互聯(lián)，結(jié)合TSV技術(shù)與微凸塊工藝，構(gòu)建了相當于容量達2000萬門ASIC的可編程邏輯器件。雖然同樣是基于TSV技術(shù)
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