硅電容文章進(jìn)入硅電容技術(shù)社區(qū)

三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容

7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計(jì)劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導(dǎo)體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對(duì)電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點(diǎn)，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過(guò)批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長(zhǎng)壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
關(guān)鍵字：三星 Exynos 2500 芯片硅電容

全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛(ài)普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過(guò)客戶驗(yàn)證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢(shì)，可在先進(jìn)封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機(jī)及高性能計(jì)算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。愛(ài)普科技的S-SiCap?使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開(kāi)發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
關(guān)鍵字：愛(ài)普高電容密度硅電容 S-SiCap

差壓傳感器廣泛應(yīng)用于武器裝備和工業(yè)過(guò)程控制。為了樹(shù)立用戶對(duì)國(guó)產(chǎn)品牌的信心，開(kāi)發(fā)性能優(yōu)異、擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的差壓芯片是非常必要的。為了解決差壓芯片溫度特性差、靜壓偏差大的常見(jiàn)問(wèn)題，本文提出了一種電容式差壓芯體雙面疊層靜電封接工藝設(shè)計(jì)方法，并對(duì)雙面疊層靜電封接的工藝參數(shù)：溫度、電壓、時(shí)間、表面光潔度、壓力等行了優(yōu)化，使其適合大規(guī)模生產(chǎn)。
關(guān)鍵字： 202301 硅電容差壓疊層封接

　　新聞事件：　　沈陽(yáng)儀表高性能硅電容差壓傳感器項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收　　事件影響：　　該項(xiàng)目完成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)只傳感器芯片，1.5萬(wàn)臺(tái)傳感器的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值達(dá)1000萬(wàn)元　　將給航空、航天、石油化工、能源電力、冶金、機(jī)械、電子、環(huán)保等各個(gè)領(lǐng)域帶來(lái)更多產(chǎn)品　　中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)所屬沈陽(yáng)儀器|儀表院“高性能硅電容差壓傳感器”項(xiàng)目日前順利通過(guò)驗(yàn)收。該項(xiàng)目是沈陽(yáng)儀表院承擔(dān)的2007年度企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新計(jì)劃項(xiàng)目。該項(xiàng)目開(kāi)發(fā)了一種適用于智能工業(yè)變送器用硅電容差壓傳感器的設(shè)計(jì)和工藝
關(guān)鍵字：硅電容傳感器能源電力

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