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硅穿孔文章進(jìn)入硅穿孔技術(shù)社區(qū)

美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。　　美光將會開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運(yùn)用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。　　IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術(shù)。　　對于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)
關(guān)鍵字：美光內(nèi)存芯片硅穿孔

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硅穿孔介紹

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