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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 硅襯底

          硅襯底完敗藍(lán)寶石襯底,芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣?

          • 硅襯底完敗藍(lán)寶石襯底,芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣?-芯片是五面發(fā)光的,通常需要將將芯片置于支架內(nèi),反光杯的開(kāi)口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積,導(dǎo)致單位面積光通量低,芯片表面顏色均勻性非常差,芯片正上方偏藍(lán),而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料
          • 關(guān)鍵字: 芯片  藍(lán)寶石襯底  硅襯底  

          國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:硅襯底和OLED照明材料登榜!

          •   為加大對(duì)科技型企業(yè)特別是中小企業(yè)的政策扶持,有力推動(dòng)大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新,培育創(chuàng)造新技術(shù)、新業(yè)態(tài)和提供新供給的生力軍,促進(jìn)解決升級(jí)發(fā)展,科技部、財(cái)政部、國(guó)家稅務(wù)總局對(duì)《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》進(jìn)行了修訂完善。   文中指出,本辦法所稱的高新技術(shù)企業(yè)是指:在《國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域》內(nèi),持續(xù)進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)與技術(shù)成果轉(zhuǎn)化,形成企業(yè)核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),并以此為基礎(chǔ)開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),在中國(guó)境內(nèi)(不包括港、澳、臺(tái)地區(qū))注冊(cè)的居民企業(yè)。   根據(jù)科技部網(wǎng)站公布的消息,國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:   一、電子信
          • 關(guān)鍵字: 硅襯底  OLED  

          基于不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究

          • GaN材料自20世紀(jì)90年代以來(lái)逐漸在顯示、指示、背光和固態(tài)照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,已形成巨大的市場(chǎng)。到目前為止,...
          • 關(guān)鍵字: 硅襯底  藍(lán)光LED  

          由東芝投資普瑞光電制造出8英寸硅襯底的LED

          •   雖然東芝和普瑞光電合作僅數(shù)月,他們已經(jīng)對(duì)外公布在8英寸硅襯底生長(zhǎng)出高品質(zhì)的GaN,所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過(guò)3.1V,電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。   合作中,東芝除了提供自己先進(jìn)的硅制造工藝和一些生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)支持外,東芝還對(duì)普瑞光電進(jìn)行了股權(quán)投資,看好普瑞在固態(tài)照明領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力。該項(xiàng)投資將進(jìn)一步促進(jìn)雙方在固態(tài)照明行業(yè)為降低成本所做的努力。   雖然東芝和普瑞光電合作僅數(shù)月,他們已經(jīng)對(duì)外公布在8英寸硅襯底生長(zhǎng)出高品質(zhì)的GaN,所得LED芯片大小為1.1
          • 關(guān)鍵字: 東芝  硅襯底  

          硅襯底,躋身主流待何時(shí)?

          •   襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前,普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后,Cree也發(fā)布消息稱,其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀(jì)錄,達(dá)到254lm/W。一面是硅襯底這條新技術(shù)路線研發(fā)取得突破性進(jìn)展的消息時(shí)有爆出,一面是SiC襯底芯片光效的快速提升,而藍(lán)寶石襯底也因產(chǎn)能過(guò)剩價(jià)格低至谷底而備顯競(jìng)爭(zhēng)力。面對(duì)新技術(shù)的快速發(fā)展和老技術(shù)的不斷突破,如今,SiC、藍(lán)寶石、硅這三種不同的襯底技術(shù)路線,哪種在成本和
          • 關(guān)鍵字: 硅襯底  LED  

          晶能光電:硅襯底LED芯片產(chǎn)業(yè)化初見(jiàn)成效

          • 晶能光電先后推出了2類4種規(guī)格的硅襯底LED芯片,年產(chǎn)能達(dá)到30億粒(小芯片)。“在氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光材料領(lǐng)...
          • 關(guān)鍵字: 晶能光電  硅襯底  LED  芯片產(chǎn)業(yè)  

          Bridgelux公司將重心轉(zhuǎn)移至硅襯底LED制造

          •   近日,美國(guó)LED芯片制造商Bridgelux公司首席執(zhí)行官Bill Watkins透露,該公司決定將重心從藍(lán)寶石襯底LED制造轉(zhuǎn)移至成本更低的硅襯底LED制造,并計(jì)劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名,約五分之一,預(yù)估生產(chǎn)方式的轉(zhuǎn)移將使公司生產(chǎn)成本降低75%。   此外,Bridgelux公司期望在18個(gè)月內(nèi)將硅襯底LED投入量產(chǎn)。目前正與一家亞洲公司商談成立合資公司來(lái)從事新一代LED的海外制造。   Bridgelux迄今為止總共募集了1.8億美元的風(fēng)投資金。2010年,Bridg
          • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  

          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

          • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái),LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
          • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

          硅基GaN擔(dān)當(dāng)下一階段LED成本下降的重任

          •   近日,韓國(guó)三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc ?K465i? MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設(shè)備。   對(duì)此,Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J. Miller表示:“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵,并商品化這項(xiàng)技術(shù)用于大批量制造氮化鎵功率器件,我們認(rèn)為是巨大的戰(zhàn)略研發(fā)上的勝利。”   
          • 關(guān)鍵字: 三星  硅襯底  
          共9條 1/1 1

          硅襯底介紹

            硅襯底是目前價(jià)格最便宜,可獲得尺寸最大,器件工藝較成熟的半導(dǎo)體材料,用硅材料制備光電子器件,從而使成熟的硅集成電路工藝與IV—族,IⅥ族光電一子器件的光電特性結(jié)合在一起,發(fā)揮材料的各自優(yōu)勢(shì),巳成為較活躍,有吸引力的研究領(lǐng)富域.  硅具有Fd3m空間群的金剛石結(jié)構(gòu),屬立方體系。由沿體對(duì)角線方向位移1/4體對(duì)角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。  圖1.6.1是從硅晶胞方向的透視圖,硅的室溫物理 [ 查看詳細(xì) ]

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