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硅3D集成技術(shù)的新挑戰(zhàn)與新機(jī)遇
- 摘要從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機(jī)會(huì)。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲(chǔ)器和布局先進(jìn)邏輯電路的硅中介層，圍繞3D平臺(tái)性能評(píng)估，重點(diǎn)介紹硅3D封裝的主要挑戰(zhàn)和技術(shù)發(fā)展。硅的 3D應(yīng)用機(jī)會(huì)從最初為圖像傳感器設(shè)計(jì)的硅2.5D集成技術(shù)[1]，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片(SoC)之外的另一種支持各
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