碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國(guó)產(chǎn)化再進(jìn)一步

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國(guó)產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國(guó)外壟斷。這標(biāo)志著今后國(guó)內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國(guó)產(chǎn)材料。
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貿(mào)澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

　　專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能微型逆變器等設(shè)備的功率密度?！　≠Q(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提高逆變器級(jí)工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。　　日前發(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級(jí)光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門控設(shè)備提供所需驅(qū)動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國(guó)實(shí)現(xiàn)彎道超車？

在現(xiàn)實(shí)世界中，沒(méi)有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個(gè)概念聽(tīng)上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會(huì)用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說(shuō)，今天我們來(lái)說(shuō)一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個(gè)很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)?！　ishay
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。這些機(jī)電系統(tǒng)
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國(guó)際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國(guó)際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號(hào)館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品。　　Vishay亞
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意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

　　意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)。　　針對(duì)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率，這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送?，意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)

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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議

　　11月4-7日，由中國(guó)電源學(xué)會(huì)與IEEE電力電子學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導(dǎo)體作為本次大會(huì)的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈。　　作為全球性的電力電子行業(yè)盛會(huì)，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來(lái)自31個(gè)國(guó)家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì)議。大會(huì)主席、中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞，美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士李澤元教授，中國(guó)工程院院
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國(guó)電子展

　　10月31日-11月2日，第92屆中國(guó)電子展在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉行?；景雽?dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！　≈袊?guó)電子展是電子行業(yè)的年度盛會(huì)，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測(cè)試測(cè)量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì)?！?/li>
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

　　11月5日，在第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間，來(lái)自中國(guó)、日本和韓國(guó)的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)。　　出席會(huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(zhǎng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國(guó)亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”

　　近日，從深圳市人力資源和社會(huì)保障局傳來(lái)喜訊，基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評(píng)“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”?！　∩钲谑腥瞬挪畼?lè)獎(jiǎng)是由深圳市政府設(shè)立，旨在鼓勵(lì)企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競(jìng)爭(zhēng)力。每年市政府通過(guò)評(píng)選伯樂(lè)獎(jiǎng)對(duì)在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過(guò)程中作出貢獻(xiàn)的單位及個(gè)人給予表彰和獎(jiǎng)勵(lì)。　　基本半導(dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來(lái)自英
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革推動(dòng)社會(huì)發(fā)展

第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國(guó)防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
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高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險(xiǎn)也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)傳導(dǎo)型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴(yán)格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開(kāi)關(guān)電源充斥著 EMI，并在整個(gè)汽車中“彌漫擴(kuò)散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅(jiān)固性和易用性一起，成為了對(duì)汽車電源的一項(xiàng)關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴(yán)格的 EMI 要求，同時(shí)擁有緊湊的尺寸以及集成化
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Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC

　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計(jì)8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計(jì)輕松滿足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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