摘要:本文介紹了一種“零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?,說(shuō)明了其給系統(tǒng)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
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穩(wěn)壓器 柵極驅(qū)動(dòng) MOSFET 201211
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探。
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美高森美 碳化硅 二極管
在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下,隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中,微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年,需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
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羅姆 功率元器件 MOSFET
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉,該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域,連續(xù)砸進(jìn)1.8億元,正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合,進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,是我國(guó)首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。
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天域 半導(dǎo)體 碳化硅
摘要:家電是節(jié)能推行過(guò)程中重要的一部分。 在本文中,推薦了家電電源的整體解決方案。 通過(guò)融合最先進(jìn)的技術(shù),能夠設(shè)計(jì)出頂尖的開(kāi)關(guān)電源,這引起了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大的興趣。 本文描述每款產(chǎn)品的功能特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn),并列出評(píng)估板的測(cè)試結(jié)果。
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飛兆 新能源 MOSFET 201211
摘要:面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí),電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn),未來(lái)幾年,電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
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電源管理 DC/DC MOSFET 201211
全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。
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Microchip PWM MOSFET 單片機(jī)
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出...
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反激式 MOSFET 鉗位電路
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車產(chǎn)品系列,專門(mén)為發(fā)展迅速的汽車市場(chǎng)而設(shè)計(jì),配合汽車電子成分持續(xù)升高,用于燃油經(jīng)濟(jì)性、安全、信息娛樂(lè)系統(tǒng)及車載通信等先進(jìn)功能。
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安森美 MOSFET LED
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
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Vishay MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
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MOSFET 光電耦合器
汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽(tīng)起來(lái)有失偏頗,并且如果您的...
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汽車電子 IR MOSFET
雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性 由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
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雙柵極 SET MOSFET
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
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MOSFET 柵漏電流 噪聲分析
高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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瑞薩 MCU MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
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