碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品
- NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。 此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。 對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設(shè)計時的負擔(dān)。 新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
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京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)
- 京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產(chǎn)型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導(dǎo)體的試制，面向混合動力車的馬達控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應(yīng)工程樣品，并獲得了好評”。 此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 消費電子 京大 SiC 外延膜 消費電子
高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC
如何計算高功率電源中MOSFET的功耗
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- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆半導(dǎo)體 嵌入式系統(tǒng)
Fairchild推出互補型40V MOSFET改進LCD設(shè)計
- 飛兆半導(dǎo)體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
- 關(guān)鍵字： Fairchild LCD設(shè)計 MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD
Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負載。
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ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6
- 4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
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ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
- ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
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帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進行選擇或者進行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達6A。2個PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達1A的模塊進行分配，以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩(wěn)壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實現(xiàn)智能的
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
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飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
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