碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)

　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。　　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。　　預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體

如何成為一個(gè)優(yōu)秀的硬件設(shè)計(jì)師

　　啟動(dòng)一個(gè)硬件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，原始的推動(dòng)力會(huì)來(lái)自于很多方面，比如市場(chǎng)的需要，基于整個(gè)系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應(yīng)用軟件部門的功能實(shí)現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個(gè)硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者，要主動(dòng)的去了解各個(gè)方面的需求，并且綜合起來(lái)，提出最合適的硬件解決方案。比如A項(xiàng)目的原始推動(dòng)力來(lái)自于公司內(nèi)部的一個(gè)高層軟件小組，他們?cè)趯?shí)際當(dāng)中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對(duì)于系統(tǒng)的配置和使用都會(huì)造成很大的不便，所以他們提出了對(duì)新硬件的需求。根據(jù)這個(gè)目標(biāo)，硬件方案中就針對(duì)性的選用了兩個(gè)高性能網(wǎng)絡(luò)處理器，然后還
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) Linear MOSFET

超薄雙管MOSFET

　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設(shè)計(jì)適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計(jì)所需的超薄的MOSFET時(shí)更顯得不可或缺。　　計(jì)算機(jī)、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點(diǎn)是如何設(shè)計(jì)出盡可能小的外形尺寸。現(xiàn)在，設(shè)計(jì)人員可通過(guò)與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時(shí)還可
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝 NexFET

SiC對(duì)醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇，三菱電機(jī)展示高頻功率模塊

　　三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出了支持50kHz左右高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)，從2014年5月開(kāi)始樣品供貨。　　據(jù)介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備，尤其適合經(jīng)常采用高開(kāi)關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過(guò)采
關(guān)鍵字： SiC 醫(yī)療設(shè)備

宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開(kāi)發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
關(guān)鍵字：宜普 EPC MOSFET

DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器

具高級(jí)輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：降壓型穩(wěn)壓器負(fù)載保護(hù) MOSFET LTM4641 μModule

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！　BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。　　SiC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
關(guān)鍵字：東芝 SBD SiC

IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出汽車級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機(jī)控制和車身控制等?！　∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(zhǎng)管腳，管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接，從而
關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET

美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

　　美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動(dòng)器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因?yàn)樗羞@些應(yīng)用場(chǎng)合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運(yùn)行。　　阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說(shuō)，“堅(jiān)固性允許這些電路被放置在標(biāo)準(zhǔn)硅基電路部件無(wú)法工作的地方。我們?cè)O(shè)計(jì)了性能優(yōu)越的信號(hào)處理電路模
關(guān)鍵字： SiC 集成電路

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！　BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。　　SiC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
關(guān)鍵字：東芝 SBD SiC

美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

美國(guó)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C 時(shí)工作的集成電路，該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運(yùn)行的航空航天設(shè)備......
關(guān)鍵字： SiC 集成電路

新日本無(wú)線變身綜合電子元器件供應(yīng)商

　　]新日本無(wú)線的MEMS傳感器累計(jì)出貨量突破1億枚，這是新日本無(wú)線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長(zhǎng)村田隆明先生今年來(lái)訪時(shí)帶來(lái)的最新消息，同時(shí)在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運(yùn)算放大器等各個(gè)方面都有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。　　記得去年七月份村田隆明來(lái)到本刊時(shí)，詳細(xì)介紹了新日本無(wú)線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。　　電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 　　縱觀新日本無(wú)線公司歷長(zhǎng)達(dá)50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨(dú)特的模擬技術(shù)和微
關(guān)鍵字： MEMS MOSFET 濾波器

IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET

超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國(guó)夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來(lái)，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。　　在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET