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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

          碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

          富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線

          •   富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線,未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關鍵字: 富士電機  SiC  

          NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

          •   恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。   
          • 關鍵字: NXP  MOSFET  

          Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

          恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

          • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。
          • 關鍵字: 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

          Vishay將舉辦中國西部電源研討會

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars),時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店,8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術報告,探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應用。研討會面向研發(fā)工程師,用中文講解,CEF的觀眾可以免費參加。
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

          提供低損耗大功率的MOSFET

          • 硅功率二極管的PN結通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當?shù)哪芰?,從而造成電源效?..
          • 關鍵字: 低損耗  大功率  MOSFET  

          根據(jù)應用恰當選擇MOSFET的技巧

          • 鑒于MOSFET技術的成熟,為設計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
          • 關鍵字: MOSFET  導通阻抗  開關電源  

          MOSFET應用案例解析

          • 1.開關電源應用從定義上而言,這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時,有數(shù)十種拓撲可用于開關電源,這...
          • 關鍵字: MOSFET  應用案例  

          MOSFET的選型基礎

          • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅動電路比較簡單。MOSF...
          • 關鍵字: MOSFET  選型  應用概覽  

          求解每個熱源功率損耗的新方法

          • 一引言DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)??梢詼y量出這些特征參數(shù),...
          • 關鍵字: 熱源功率  損耗  MOSFET  

          功率器件更加智能,高能效功率電子技術新進展

          • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移,功率晶體管技術得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越...
          • 關鍵字: 功率器件  工藝材料  MOSFET  

          SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

          • 引言  隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
          • 關鍵字: 設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

          用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

          • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。

          • 關鍵字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

          大功率開關電源中功率MOSFET的驅動技術

          • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-modepowersupplies,SMPS...
          • 關鍵字: 大功率  開關電源  功率  MOSFET  驅動  

          大功率MOSFET驅動技術詳解

          • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-modepowersupplies,SMPS)的整...
          • 關鍵字: 功率  MOSFET  變換器  柵極驅動  
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          碳化硅(sic)mosfet介紹

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          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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