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          TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討

          • 去年,TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量,對于揭示碳化硅器件規(guī)格書遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能提供的碳化硅器件特性。分析半導(dǎo)體摻雜的技術(shù)多種多樣,例如:·        掃描式電容顯微鏡(SCM ),我們經(jīng)常將它包含在我們的功耗報告中,這為我們提供了大面積的相對摻雜物分析。·        掃描式電阻測定(SRP)和二次離子質(zhì)譜(SIMS)可以給出定量分析,但是尺
          • 關(guān)鍵字: TechInsights  碳化硅JFETs原子探針層析成像  
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          碳化硅jfets原子探針層析成像介紹

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