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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)方案

          青銅劍科技參展PCIM Asia 2019,純國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)方案廣受關(guān)注

          • 6月28日,為期3天的PCIM Asia(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))在上海世博展覽館圓滿落下帷幕。本屆展會(huì)云集了近百家國(guó)內(nèi)外行業(yè)各路廠商,展示了行業(yè)最新研究成果和產(chǎn)品技術(shù),是一場(chǎng)電力電子行業(yè)的國(guó)際盛會(huì)。青銅劍科技應(yīng)邀參加PCIM Asia 2019,現(xiàn)場(chǎng)展示了第二代ASIC芯片IGBT驅(qū)動(dòng)核、汽車級(jí)和工業(yè)級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)方案,以及適配多種碳化硅器件的碳化硅驅(qū)動(dòng)方案。其中,青銅劍科技以自主研發(fā)的ASIC驅(qū)動(dòng)芯片為核心、所有輔助元器件和制程工藝均為國(guó)產(chǎn)、完全實(shí)現(xiàn)自主可控的“中國(guó)芯、純國(guó)產(chǎn)”系列驅(qū)動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 第二代ASIC芯片IGBT驅(qū)動(dòng)核  PCIM Asia  汽車級(jí)和工業(yè)級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)方案  碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)方案  
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          碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)方案介紹

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