碳納米管 文章 進(jìn)入碳納米管技術(shù)社區(qū)
北大張志勇-彭練矛課題組在用于高性能電子學(xué)的高密度半導(dǎo)體陣列碳納米管研究中取得重要進(jìn)展
- 集成電路的發(fā)展要求互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管在持續(xù)縮減尺寸的同時提升性能，降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術(shù)節(jié)點，采用新結(jié)構(gòu)或新材料對抗場效應(yīng)晶體管中的短溝道效應(yīng)、進(jìn)一步提升器件能量利用效率變得愈加重要。在諸多新型半導(dǎo)體材料中，半導(dǎo)體碳納米管具有超高的電子和空穴遷移率、原子尺度的厚度和穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，是構(gòu)建高性能CMOS器件的理想溝道材料。已公開的理論計算和實驗結(jié)果均表明，碳管CMOS晶體管采用平面結(jié)構(gòu)即可縮減到5nm柵長，且較同等柵長的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能-
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關(guān)注中美研發(fā)半導(dǎo)體新材料 日媒感嘆日本存在感低
- 日媒稱，碳納米管研究意在代替硅制半導(dǎo)體，該領(lǐng)域主要由中美的大學(xué)和新創(chuàng)企業(yè)拉動研究，而碳納米管的發(fā)現(xiàn)國日本的存在感卻正在下降。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》11月28日報道，直徑為1納米左右的碳納米管被發(fā)現(xiàn)具備重量輕且強(qiáng)韌的特色，在導(dǎo)電性等方面也具備有趣的性能，1991年，由日本名城大學(xué)終身教授飯島澄男在任職于日本電氣公司（NEC）時發(fā)現(xiàn)。
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[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進(jìn)展
- 日前，由教育部科學(xué)技術(shù)委員會組織評選的2017年度“中國高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”經(jīng)過高校申報和公示、形式審查、學(xué)部初評、項目終審等評審流程后在京揭曉。 由北京大學(xué)申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。 ? 芯片是信息時代的基礎(chǔ)與推動力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時代的重要選項。 理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢將高達(dá)上千
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北大彭練矛的芯片強(qiáng)國夢:碳納米管成果上《科學(xué)》雜志
- 北京6月28日電(記者王健 魏夢佳)當(dāng)人類生活越來越離不開手機(jī)、電腦等電子產(chǎn)品時，這些產(chǎn)品的核心部件芯片正面臨著性能極限的逼近。 好在科學(xué)家們正在探索用新材料來替代硅制造芯片，從而沖破芯片的物理極限。在這方面，中國科學(xué)家已經(jīng)走在了世界前列，這也為中國芯片產(chǎn)業(yè)的換道超車提供了可能。 北京大學(xué)電子系教授彭練矛帶領(lǐng)團(tuán)隊成功使用新材料碳納米管制造出芯片的核心元器件——晶體管，其工作速度3倍于英特爾最先進(jìn)的14納米商用硅材料晶體管，能耗只有其四分之一。該成果于今年初刊登于美國
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北大碳納米管集成電路研制獲重大進(jìn)展
- 碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優(yōu)勢，被認(rèn)為是未來最有可能替代現(xiàn)有硅基集成電路，延續(xù)摩爾定理的信息器件技術(shù)之一。經(jīng)過近20年的研究，碳納米管電子學(xué)在器件物理、器件制備和優(yōu)化、簡單集成電路和系統(tǒng)演示方面取得長足進(jìn)展。 然而，受限于材料和加工工藝問題，碳納米管晶體管的制備規(guī)模、成品率和均勻性始終難以達(dá)到較高水平，限制了碳納米管集成電路技術(shù)進(jìn)一步向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。 近 期，在北京市科委支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊針對如何將碳納米管從晶體管推向集成電路的世界性難題開展系統(tǒng)研究，取得重大進(jìn)展。
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碳納米管或取代硅晶體材料 商業(yè)化至少還需十年
- 據(jù)外媒報道，碳納米管屬于一種超級材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級計算機(jī)到效能比更高的智能手機(jī)在內(nèi)的許多夢幻般應(yīng)用。問題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。 碳納米管是由碳元素構(gòu)成的一種管狀分子結(jié)構(gòu)。特別是，碳納米管(在1991年被偶然發(fā)現(xiàn))以優(yōu)異的電氣和機(jī)械性能聞名。這些性能來自碳納米管的結(jié)構(gòu)。在納米管中，碳原子以六邊形螺旋的方式排列。 帕利克爾·阿賈儼(Pulickel M
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碳納米管市場將掀起新一波整并潮
- 因為某些關(guān)鍵市場起飛速度會比預(yù)期來得快，而且其報酬不容易被均分，碳奈米管(CNT)的第二波整并風(fēng)潮可能會發(fā)生。 碳奈米管 (Carbon nanotubes，CNT)一度成為市場上的當(dāng)紅炸子雞，因為它似乎能成為一種改變無數(shù)產(chǎn)業(yè)的革命性材料，甚至能幫我們打造出通往月球的電梯;但是，隨 著它努力朝商業(yè)化道路前進(jìn)，這種技術(shù)后來受到的關(guān)注越來越少，特別是有一種似乎更具潛力的新技術(shù)──石墨烯(graphene)冒出頭之后。 盡管如此，CNT技術(shù)目前正穩(wěn)定發(fā)展而且悄悄重整旗鼓;未經(jīng)純化(un-puri
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金屬所研制出窄帶隙分布半導(dǎo)體性單壁碳納米管
- 單壁碳納米管(swcnt)因碳原子排布方式不同可表現(xiàn)為金屬性或半導(dǎo)體性，其中半導(dǎo)體性swcnt具有納米尺度、良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、可調(diào)的帶隙和高載流子遷移率，被認(rèn)為是構(gòu)建高性能場效應(yīng)晶體管的理想溝道材料，并可望在新一代柔性電子器件中獲得應(yīng)用。然而，金屬性和半導(dǎo)體性swcnt的結(jié)構(gòu)和生成能差異細(xì)微，通常制備得到的碳納米管中含有約三分之一金屬性和三分之二半導(dǎo)體性swcnt，這種不同導(dǎo)電屬性swcnt的混合物無法用于高性能電子器件的構(gòu)建。因此，高質(zhì)量半導(dǎo)體性swcnt的可控制備是當(dāng)前碳納米管研究的重點和難點。
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單根懸空單壁碳納米管光學(xué)可見化及本征探測獲進(jìn)展
- 為了研究單根碳納米管的性質(zhì)和器件性能，以及操縱碳納米管從而得到某種特殊的結(jié)構(gòu)，人們往往需要在光學(xué)顯微鏡下定位某個碳納米管才能進(jìn)行光譜表征和器件構(gòu)筑。傳統(tǒng)的使用掃描電子顯微鏡來標(biāo)記定位的方法較為繁瑣且易污染碳納米管。納米材料的光學(xué)可見化可以滿足人們的需求。而已有的在碳納米管表面沉積金屬或氧化物納米顆粒的方法，雖然實現(xiàn)了光學(xué)顯微鏡下的可見化，卻可能導(dǎo)致碳納米管的性能退化，不利于碳納米管本征物性的探索。 尤其是碳納米管優(yōu)異的性質(zhì)極易受到周圍環(huán)境的影響，以往使用混合樣品研究碳納米管的物理性質(zhì)，往往只能得
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2016會是碳納米管電晶體年？
- 自從NEC研究人員飯島澄男(Sumio Iijima )在1991年首度發(fā)現(xiàn)碳奈米管(CNT)后，這方面的研究一直持續(xù)進(jìn)展。他形容碳奈米管是繼石墨稀、鉆石以及富勒烯(fullerenes;巴克球Buckyballs)之后碳的第四種形式。基本上，碳奈米管可視為卷成管狀的石墨烯原子薄層，并穩(wěn)定維持1.2nm的直徑?！ √寄蚊坠苡捎谠谑覝叵碌碾娺w移率超過每秒100,000-cm2//V，比標(biāo)準(zhǔn)矽晶片每稍1,400-cm2//V的電遷移更快70倍，因而幾乎馬上就能確定可用于取代矽電晶體中的通道?！ ⊙芯咳藛T試
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基于電流源控制的CNT-FED驅(qū)動電路設(shè)計
- 本文為了實現(xiàn)碳納米管場致發(fā)射顯示器(CNT-FED)的產(chǎn)品化，采用CNT-FED陰極電流源驅(qū)動方法，研究了CNT-FED亮度的均勻性和非線性調(diào)節(jié)問題。從分立元件驅(qū)動電路設(shè)計原理出發(fā)，采用了高穩(wěn)定性陰極電流源像素驅(qū)動電路，將電流源驅(qū)動電路預(yù)先制作在硅基底上，再利用室溫下生長碳納米管(CNT)的方法，將CNT發(fā)射體和電流源驅(qū)動電路集成在同一硅襯底上，最終實現(xiàn)了集成CNT-FED驅(qū)動電路的設(shè)計。該驅(qū)動電路解決了CNT-FED亮度均勻性和非線性調(diào)節(jié)問題，對場射顯示器驅(qū)動電路的應(yīng)用研究和CNT-FED驅(qū)動電路的集成
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