磁變存儲器 文章 進(jìn)入磁變存儲器技術(shù)社區(qū)

MRAM，新興的黑馬

• 1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲時(shí)代的開始。此后，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行過程中對數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲設(shè)備之一。存儲技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
• 關(guān)鍵字： 磁變存儲器  MRAM