離子注入文章進(jìn)入離子注入技術(shù)社區(qū)

建設(shè)高端半導(dǎo)體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造

思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導(dǎo)體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導(dǎo)體等諸多高精尖領(lǐng)域。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)精彩瞬間思銳智能離子注入機(jī)（IMP）模型根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)28.3%。中國(guó)對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)技術(shù)表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的需求和消費(fèi)能力?？v觀全局，離子注入已成為半導(dǎo)體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
關(guān)鍵字：高端半導(dǎo)體裝備 SRII 集成電路制造思銳智能 SEMICON China 離子注入 IMP 原子層沉積 ALD

離子注入技術(shù)介紹：把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方法。簡(jiǎn)單地說，離子注入的過程，就是在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過加速的，要摻雜的原子的離子照射（注入）固體材料，從而在所選擇的（即被注入的）區(qū)域形成一個(gè)
關(guān)鍵字：離子注入技術(shù)簡(jiǎn)介

隨著器件線寬和層厚的縮小，離子注入計(jì)量設(shè)備對(duì)硅片上雜質(zhì)分布均勻性進(jìn)行直接監(jiān)測(cè)的能力已經(jīng)開始受到限制。同時(shí)，特征尺寸的縮小和參數(shù)性能的要求，使關(guān)鍵注入?yún)?shù)的工藝窗口不斷變窄，而離子束電流和硅片尺寸卻在不
關(guān)鍵字：離子注入方法失效檢測(cè)