科友半導體 文章 進入科友半導體技術社區(qū)
8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收
- 據(jù)科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術和新工藝，建立了碳化硅襯底生產的工藝流程，制定了相關工藝流程的作業(yè)指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
- 關鍵字： 碳化硅 科友半導體 第三代半導體材料
國內8英寸SiC傳來新進展
- 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產品的小規(guī)模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
- 關鍵字： 8英寸 SiC 科友半導體
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