立體晶體管 文章 進入立體晶體管技術(shù)社區(qū)
CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細(xì)化競爭帶來影響。 元件材料及曝光技術(shù)也會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 “估計一多半的半導(dǎo)體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
- 關(guān)鍵字： CMOS 15nm 立體晶體管
臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程
- 據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種制程生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。 這種Finfet制程技術(shù)采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應(yīng)變(multiple stressors，指應(yīng)用多種應(yīng)力源增強溝道載流子遷移率的技術(shù))技術(shù)，臺積電宣稱
- 關(guān)鍵字： 臺積電 立體晶體管 20nm
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立體晶體管介紹
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