第三代半導(dǎo)體材料文章進(jìn)入第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)

筑波網(wǎng)絡(luò)科技x美商泰瑞達(dá)共創(chuàng)卓越-4/17第三代半導(dǎo)體材料與測(cè)試技術(shù)研討會(huì)

圖左起清大材料科學(xué)工程學(xué)系?嚴(yán)大任教授兼全球長、SEMI Taiwan/ 陽明交大光電工程研究所郭浩中教授、陽明交大機(jī)械工程系成維華教授兼副院長、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?許深福董事長、泰瑞達(dá)?高士卿臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理、陽明交大電子研究所?洪瑞華教授、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?許永周項(xiàng)目經(jīng)理、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?官暉舜博士/研發(fā)經(jīng)理筑波網(wǎng)絡(luò)科技與美商泰瑞達(dá)Teradyne攜手合作，于2024年4月17日成功舉辦首場「第三代半導(dǎo)體材料與測(cè)試技術(shù)研討會(huì)」。此次研討會(huì)邀請(qǐng)產(chǎn)官學(xué)講師
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第三代半導(dǎo)體行業(yè)是指基于新型材料和技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有更高的性能和更低的功耗，有望在多個(gè)領(lǐng)域取得突破性的應(yīng)用。在當(dāng)前全球科技發(fā)展的背景下，第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場具有巨大的潛力和發(fā)展空間。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）為代表，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體材料和以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料。相較前兩代產(chǎn)品，第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)非常顯著且受到業(yè)內(nèi)廣泛好評(píng)。圖片來源網(wǎng)絡(luò)以GaN、SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料最
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據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)召開。會(huì)上，以黑龍江省科學(xué)院原院長郭春景研究員為組長的評(píng)審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書，一致同意項(xiàng)目通過階段驗(yàn)收評(píng)審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目是2021年哈爾濱市科技專項(xiàng)計(jì)劃項(xiàng)目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國
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半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代，從傳統(tǒng)Si（硅）功率器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金氧半場效晶體管），到以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體。在這條賽道上，企業(yè)融資并購、廠商增資擴(kuò)產(chǎn)、新玩家跑步入場、新項(xiàng)目不斷涌現(xiàn)。與半導(dǎo)體市場整體“低迷”的現(xiàn)狀不同，第三代半導(dǎo)體市場則煥發(fā)著別樣生機(jī)。近日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在北京召開第一屆理事會(huì)第一次會(huì)議，標(biāo)志著國創(chuàng)中心正式邁入實(shí)際運(yùn)行階段。國創(chuàng)中心由科技部批復(fù)同意建設(shè)，旨在瞄準(zhǔn)國家戰(zhàn)略需求，統(tǒng)籌
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現(xiàn)階段,在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,針對(duì)供應(yīng)優(yōu)化襯底材料方面的角色來說,主要技術(shù)用于加工晶體管隨之產(chǎn)品直接進(jìn)入到工業(yè)及終端市場......
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GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
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